- 100V- und 120V-TMBS® Dioden tragen zu geringeren Leistungsverlusten und höherer Energieeffizienz bei
- Die für Anwendungen in Notebooks und mobilen Geräten optimierten Bauteile im TO-220AB-Gehäuse sind für Nennströme von 30A bis 40A ausgelegt
Malvern, (USA) / Selb – 8. Oktober 2018 – Vishay Intertechnology präsentiert vier neue 100V- und 120V-TMBS®-Trench-MOS-Barrier-Schottky-Dioden mit einer im Vergleich zur Vorgängergeneration bis zu 20mV geringeren Durchlassspannung. Die neuen Dioden V30100CI, V30120CI, V40100CI und V40120CI von Vishay General Semiconductors im TO-220AB-Gehäuse sind für Nennströme von 30A bis 40A spezifiziert.
Zu den Features der Dioden zählen Durchlassspannungen ab 0,36V bei 5A; sie verringern dadurch die Leistungsverluste und steigern die Energieeffizienz in Anwendungen wie Hochfrequenz-DC/DC-Wandler, Schaltnetzteile, Freilaufdioden, OR-Schaltungen und Verpolungungsschutz. Die Bauteile eignen sich ideal für 65W USB-Type-C-Power-Delivery-Anwendungen in Notebooks, Computern und mobilen Geräten.
Die RoHS-konform und halogenfreien Gleichrichter erlauben eine maximale Sperrschichttemperatur von +150°C. °Das TO-220AB-Gehäuse widersteht Lötbadtemperaturen von max. 275°C über 10s nach JESD 22-B106.
Lieferbar sind die neuen 100V- und 120V-TMBS-Dioden ab sofort in Muster- und Produktionsstückzahlen; die Lieferzeit für Produktionsmengen beträgt 30 Wochen.
TMBS ist eine eingetragene Marke von Vishay Intertechnology.
© Vishay Intertechnology, Inc.
Vorheriger Beitrag Nächster Beitrag