200-V-n-Kanal-MOSFET im PowerPAK®-1212-8S-Gehäuse stellt neuen Rekord auf - extrem kleiner RDS(ON) steigert Leistungsdichte und spart Energie

• 200-V-n-Kanal-MOSFET im PowerPAK®-1212-8S-Gehäuse stellt neuen Rekord auf - extrem kleiner RDS(ON) steigert Leistungsdichte und spart Energie
• Der neue TrenchFET hat bei einer Gehäusegröße von nur 10,89 mm² einen typischen RDS(ON) von nur 61 mOhm und ein FOM von 854 mOhm • nC

Malvern (USA)/Selb – 23. September 2020 – Vishay Intertechnology präsentiert einen neuen 200-V-n-Kanal-MOSFET im 3,3 mm x 3,3 mm großen, thermisch optimierten PowerPAK®-1212-8S-Gehäuse. Mit einem On-Widerstand von nur 61 mOhm bei 10 V Gate-Spannung stellt er einen neuen Branchenrekord auf, zudem bietet er einen besonders geringen FOM-Wert von nur 854 mOhm • nC. FOM steht für "figure of merit" und entspricht dem Produkt aus On-Widerstand und Gate-Ladung. Die FOM-Spezifikation ist eine wichtige Kennzahl für MOSFETs, die in Schaltanwendungen eingesetzt werden. Der auf höhere Leistungsdichte hin entwickelte SiSS94DN von Vishay Siliconix ist um 65% kleiner als andere MOSFETs mit vergleichbarem On-Widerstand im 6 mm x 5 mm großen Gehäuse.

Als Besonderheit ist der typische On-Widerstand des neuen TrenchFET®-Gen-IV-Leistungs-MOSFETs um 20% kleiner als der des nächstbesten Produkts am Markt mit vergleichbarer Gehäusegröße, und der FOM-Wert um 17% niedriger als bei der Vorgängergeneration. Diese ausgezeichneten Spezifikationen erzielen verringerte Durchlass- und Schaltverluste, das spart Energie. Durch seine kompakte Größe ermöglicht das vielseitige Bauelement es Entwicklern, Leiterplattenfläche zu sparen, indem sie einen wesentlich größeren MOSFET mit den gleichen Durchlassverlusten ersetzen. Alternativ können sie einen MOSFET ähnlicher Größe mit höheren Durchlassverlusten ersetzen und so die Energieeffizienz verbessern.

Der SiSS94DN eignet sich ideal für den Einsatz als primärseitiger Schalter in galvanisch getrennten Gleichspannungswandlern oder als Synchrongleichrichter in Telekom-Applikationen, Computerperipheriegeräten und Consumerelektronik-Produkten; weitere Anwendungen sind LED-Hintergrundbeleuchtung für Notebooks, LED-Fernseher, Fahrzeuge und Wasserfahrzeuge, Motorantriebssteuerungen, Lastschalter und Energiewandler in GPS-, Fabrikautomatisierungs- und Industrie-Anwendungen.

Das Bauteil ist 100% RG- und UIS-getestet und ist RoHS-konform und halogenfrei.
Lieferbar ist der neue MOSFET ab sofort in Muster- und Produktionsstückzahlen mit einer Lieferzeit von zwölf Wochen.