- 30-V-MOSFET-Halbbrücken-Leistungsstufe im PowerPAIR®-3x3F-Gehäuse liefert 11% mehr Ausgangsstrom
- Dual-MOSFET mit integrierter Schottky-Diode mit höherer Leistungsdichte und höherem Wirkungsgrad bei um 65% weniger Leiterplattenfläche im Vergleich zu ähnlichen Bauteilen im 6 mm x 5 mm großen Gehäuse
Malvern (USA)/Selb – 8. Juli 2020 – Vishay Intertechnology präsentiert eine neue 30-V-n-Kanal-MOSFET-Halbbrücken-Leistungsstufe, die einen High-Side-TrenchFET®-MOSFET und einen Low-Side-SkyFET®-MOSFET plus eine integrierte Schottky-Diode in einem nur 3,3 mm x 3,3 mm großen PowerPAIR®-Gehäuse vereint. Die für Spannungswandler-Anwendungen in Computern und Telekom-Ausrüstung vorgesehene Halbbrücken-Leistungsstufe SiZF300DT von Vishay Siliconix zeichnet sich durch höhere Leistungsdichte und höheren Wirkungsgrad aus, außerdem verringert sie die Bauteilanzahl und vereinfacht das Design.
Die beiden MOSFETs in dem neuen Dual-Bauteil sind intern zu einer Halbbrückenschaltung verbunden. Der Kanal-1-MOSFET hat einen maximalen On-Widerstand von 4,5 mOhm bei 10 V Gate-Source-Spannung bzw. 7,0 mOhm bei 4,5 V. Der Kanal-2-MOSFET hat einen maximalen On-Widerstand von 1,84 mOhm bei 10 V bzw. 2,57 mOhm bei 4,5 V. Die typische Gate-Ladung der MOSFETs beträgt 6,9 nC bzw. 19,4 nC.
Das Bauteil SiZF300DT ist um 65% kleiner als konkurrierende Dual-MOSFETs mit vergleichbaren On-Widerständen im Gehäuseformat 6 mm x 5 mm; damit ist es eines der kompaktesten integrierten Leistungsprodukte am Markt. Es bietet Entwicklern eine platzsparende Lösung für Point-of-Load- (POL) Spannungswandler, Stromversorgungen, Synchron-Abwärtsregler und Gleichspannungswandler in Grafik- und Beschleunigerkarten, Computern, Servern sowie Telekom- und Funknetz-Ausrüstung.
Dank seiner besonderen Pin-Konfiguration und seines innovativen Designs kann der neue Dual-MOSFET bei gleicher Grundfläche bis zu 11% höhere Ausgangsströme – bis über 20 A – pro Stromphase liefern als Konkurrenzprodukte, und das noch mit höherem Wirkungsgrad. Außerdem verbessern die spezielle Pin-Konfiguration und das große PGND-Pad die Wärmeabfuhr, optimieren den Strompfad und vereinfachen das Leiterplattenlayout.
Die Halbbrücken-Leistungsstufe SiSF20DN wird 100% Rg- und UIS-getestet und ist RoHS-konform und halogenfrei.
Lieferbar ist der neue Dual-MOSFET ab sofort in Muster- und Produktionsstückzahlen; für große Bestellmengen beträgt die Lieferzeit zwölf Wochen.
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