- 60-V-TrenchFET®-MOSFET mit On-Widerstand ab 1,7mOhm verringert Leistungsverluste und steigert Energieeffizienz
- PowerPAK® SO-8-Single-Gehäuse, Rekordwerte für Gate-Ladung (52nC) und Ausgangsladung (68nC)
Malvern (USA)/Selb – 18. Februar 2019 – Vishay Intertechnology präsentiert einen neuen 60-V-TrenchFET®-Gen-IV-n-Kanal-Leistungs-MOSFET im 6,15mm x 5,15mm großen PowerPAK® SO-8-Single-Gehäuse. Der SiR626DP von Vishay Siliconix wurde mit dem Ziel entwickelt, den Wirkungsgrad von Energiewandlern zu verbessern. Er bietet einen um 36% geringeren On-Widerstand als vergleichbare Bauteile der Vorgängergeneration mit der niedrigsten Gate- und Ausgangsladung seiner Klasse.
Der neue MOSFET kombiniert einen On-Widerstand von nur 1,7mOhm (max.) bei 10V Gate-Spannung mit einer äußerst geringen Gate-Ladung von 52nC, einer Ausgangsladung von nur 68nC und einer COSS von nur 992pF. Daraus resultieren hervorragende Werte für das Produkt aus Gate-Ladung und On-Widerstand und das Produkt aus Ausgangsladung und On-Widerstand. Beide Parameter sind wichtige Leistungsmerkmale von MOSFETs in Energiewandler-Anwendungen. Die genannten Werte sind um 32% bzw. 45% geringer als bei vergleichbaren Produkten der Vorgängergeneration. Die COSS-Kapazität ist um 69% kleiner.
Die verbesserten Spezifikationen des SiR626DP wurden auf minimale Durchlass- und Schaltverluste optimiert. Das Ergebnis ist ein höherer Wirkungsgrad von Synchrongleichrichtern in AC/DC-Wandlern, primär- und sekundärseitigem Schalten in galvanisch getrennten Gleichspannungswandlern für Solar-Mikro-Wechselrichter; Stromversorgungen für Telekomausrüstung, Server und medizinische Geräte; Motorsteuerungen in Elektrowerkzeugen und Industrieausrüstung; und Batterieschalter in Batteriemanagement-Modulen.
Der neue MOSFET ist 100% RG- und UIS-getestet und ist RoHS-konform und halogenfrei.
Muster des SiR626DP sind sofort lieferbar. Produktionsstückzahlen sind mit einer Lieferzeit von etwa 30 Wochen (je nach Marktsituation) verfügbar.
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