• 600-V-Fast-Body-Diode-MOSFET der EF-Serie eignet sich mit rekordbrechendem RDS(ON)*Qg-Produkt (FOM) ideal für Spannungswandler-Anwendungen
  • N-Kanal-MOSFET der vierten Generation verringert Durchlass- und Schaltverluste und steigert Energieeffizienz

Malvern (USA)/Selb – 2. Dezember 2020 – Ein neues Modell seiner vierten Generation von 600-V-Fast-Body-Diode-MOSFETs der EF-Serie präsentiert Vishay Intertechnology. Der neue n-Kanal-MOSFET SiHH070N60EF von Vishay Siliconix bietet im Vergleich zur Vorgängergeneration einen um 29% geringeren On-Widerstand und eine um 60% geringere Gate-Ladung. Durch seine hohe Energieeffizienz eignet er sich bestens für Stromversorgungsanwendungen in der Telekommunikation, Industrie und im Computerbereich. Unter allen vergleichbaren Produkten am Markt bietet dieser MOSFET das kleinste Produkt aus Gate-Ladung und On-Widerstand – dies ist eine wichtige Kennzahl (FOM, figure of merit) von 600-V-MOSFETs für Spannungswandler-Anwendungen.

Vishay bietet ein breites Spektrum von MOSFET-Technologien, das den gesamten Energieumwandlungsprozess abdeckt – von hohen Eingangsspannungen bis zu den sehr niedrigen Betriebsspannungen moderner Hightech-Produkte. Der SiHH070N60EF und künftige Modelle der vierten Generation von 600-V-MOSFETs der EF-Serie sind Vishays Antwort auf die steigenden Anforderungen an Energieeffizienz und Leistungsdichte in den beiden ersten Stufen der Energiewandler-Architektur – brückenlose Totem-Pole-Leistungsfaktorkorrektur (PFC) und "sanft" schaltende DC/DC-Wandlertopologien.

Der auf der neuesten, energieeffizienten Superjunction-Technologie der E-Serie basierende SiHH070N60EF hat einen maximalen On-Widerstand von nur 0,061 Ohm bei 10 V Gate-Spannung und eine ultrageringe Gate-Ladung von nur 50 nC. Die FOM-Spezifikation (figure of merit, Produkt von On-Widerstand und Gate-Ladung) von nur 3,1 Ohm*nC ist damit um 30% kleiner als beim nächstbesten Wettbewerbsprodukt. Diese ausgezeichneten Spezifikationen führen zu verringerten Durchlass- und Schaltverlusten, das spart Energie. Für optimale Performance bei Nulldurchgang-Schalter- (ZVS, Zero Voltage Switching) Topologien wie z. B. LLC-Resonanzwandler bieten die MOSFETs der Serie SiHH070N60EF besonders kleine Ausgangskapazitäten von nur 90 pF (Co(er)) bzw. 560 pF (Co(tr)). Der genannte Co(tr)-Wert ist um 32% kleiner als der des nächstbesten Wettbewerbsprodukts.

Der neue MOSFET im PowerPAK®-8x8-Gehäuse ist RoHS-konform und halogenfrei. Für die Überspannungsfestigkeit im Avalanche-Modus werden Grenzwerte garantiert, und das Bauteil wird auf Einhaltung dieser Spezifikation zu 100% UIS-getestet.

Lieferbar ist der SiHH070N60EF ab sofort in Muster- und Produktionsstückzahlen bei einer Lieferzeit von zehn Wochen.

Vorheriger Beitrag Nächster Beitrag