- 600-V-Leistungs-MOSFETs der vierten E-Serie-Generation: geringere Durchlass- und Schaltverluste, höhere Energieeffizienz
- Superjunction-MOSFETs mit dem kleinsten RDS(ON)*Qg-Produkt am Markt – ideal für Telekom-, industrielle und gewerbliche Anwendungen
Malvern, Pennsylvania (USA)/Selb – 26. Januar 2017 – Vishay Intertechnology präsentiert das erste Bauteil seiner vierten Generation von 600-V-Leistungs-MOSFETs der E-Serie. Der neue n-Kanal-MOSFET SiHP065N60E von Vishay Siliconix bietet einen um 30% geringeren On-Widerstand und eine um 44% geringere Gate-Ladung als die bisherigen 600-V-MOSFETs der E-Serie und eignet sich durch seinen hohen Wirkungsgrad bestens für Stromversorgungsanwendungen in den Bereichen Telekommunikation, Industrie und Unternehmen. Der SiHP065N60E bietet unter allen vergleichbaren Produkten am Markt das kleinste Produkt aus Gate-Ladung und On-Widerstand – dies ist eine wichtige Kennzahl (Figure of Merit) von 600-V-MOSFETs für Spannungswandler-Anwendungen.
„Wir haben uns zum Ziel gesetzt, unseren Kunden ein breites Spektrum von MOSFET-Technologien anzubieten, das den gesamten Energieumwandlungsprozess abdeckt – von hohen Eingangsspannungen bis zu den sehr niedrigen Betriebsspannungen moderner elektronischer Systeme", sagt David Grey, Leiter der Marktentwicklung bei Vishay. „Der SiHP065N60E und die aufkommende vierte Generation unserer 600 V E-Serie ist unsere Antwort auf die steigenden Anforderungen an Energieeffizienz und Leistungsdichte in der ersten Stufe der Energiewandlung–Leistungsfaktorkorrektur und Hochspannungs-DC/DC-Wandlung."
Der auf der neuesten, energieeffizienten Superjunction-Technologie der E-Serie basierende SiHP065N60E bietet einen On-Widerstand von nur 0,065Ω (max.) bzw. 0,057Ω (typ.) bei 10V Gate-Spannung und eine äußerst geringe Gate-Ladung von nur 49nC. Die FOM-Spezifikation (figure of merit, Produkt von On-Widerstand und Gate-Ladung) von nur 2,8Ω*nC (typ.) ist damit um 25% geringer als beim nächstbesten Wettbewerbsprodukt. Auch die sehr geringen effektiven Ausgangskapazitäten Co(er) und Co(tr) von nur 93pF bzw. 593pF tragen zu dem hervorragenden Schaltverhalten des SiHP065N60E bei. Die geringeren Durchlass- und Schaltverluste führen zu Energieeinsparungen in Leistungsfaktorkorrektur- und steilflankig schaltenden DC/DC-Wandlerstufen von Telekom-, industriellen und gewerblichen Stromversorgungssystemen.
Der neue MOSFET im TO-220AB-Gehäuse ist RoHS-konform und halogenfrei. Für die Überspannungsfestigkeit im Avalanche-Modus werden Grenzwerte garantiert, und das Bauteil wird 100%-ig auf Einhaltung dieser Spezifikation UIS-getestet.
Muster des neuen MOSFETs SiHP065N60E sind sofort verfügbar. Produktionsstückzahlen sind ab sofort mit einer Lieferzeit von zehn Wochen lieferbar.
© Vishay Intertechnology, Inc.
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