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  • 600 V-MOSFET der EF-Serie von Vishay Intertechnology mit schneller Body-Diode im flachen PowerPAK® 10 x 12-Gehäuse liefert die branchenweit niedrigste FOM (RDS(ON)*Qg)
  • N-Kanal-Bauelement ermöglicht hohe Leistungsdichte bei gleichzeitiger Reduzierung der Leitungs- und Schaltverluste für einen verbesserten Wirkungsgrad

Malvern/Selb – 06. Oktober 2022 - Vishay Intertechnology, Inc. stellt einen neuen 600-V-MOSFET der vierten Generation der EF-Serie mit schneller Body-Diode im flachen PowerPAK®-Gehäuse (10 x 12) vor. Der n-Kanal-MOSFET SiHK045N60EF von Vishay Siliconix bietet einen hohen Wirkungsgrad und hohe Leistungsdichte für Telekommunikations-, Industrie- und Computeranwendungen. Dabei senkt er den On-Widerstand um 29 % im Vergleich zu Bauelementen der vorherigen Generation und weist zudem eine um 60 % geringere Gate-Ladung auf. Dies führt zur branchenweit niedrigsten FOM (Produkt) aus On-Widerstand und Gate-Ladung bei Bauelementen derselben Klasse, einer wichtigen Kennzahl für 600-V-MOSFETs, die in Stromwandler-Anwendungen eingesetzt werden.

Vishay bietet eine breite Palette von MOSFET-Technologien an, die alle Stufen des Stromwandlungsprozesses abdecken, von Hochspannungseingängen bis zu Niederspannungsausgängen, die für die Versorgung der neuesten Hightech-Geräte erforderlich sind. Mit dem SiHK045N60EF und anderen Bauelementen der vierten Generation der 600-V-EF-Serie reagiert das Unternehmen auf den Bedarf an Verbesserungen des Wirkungsgrads und der Leistungsdichte in zwei der ersten Stufen der Stromversorgungsarchitektur – der brückenlosen Totem-Pole-Leistungsfaktorkorrektur (PFC) und den nachgeschalteten DC/DC-Wandlerblöcken. Zu den typischen Anwendungen gehören Edge Computing und Datenspeicherung, USV, Hochdruckentladungslampen (HID) und Leuchtstofflampen, Solarwechselrichter, Schweißgeräte, Induktionsheizungen, Motorantriebe und Batterieladegeräte.

Der SiHK045N60EF basiert auf Vishays neuester, energieeffizienter Superjunction-Technologie der E-Serie und weist mit einem typischen On-Widerstand von 0,045 Ω bei 10 V einen um 27 % niedrigeren Wert gegenüber Bauelementen im PowerPAK 8 x 8-Gehäuse auf. Daraus resultiert eine höhere Nennleistung für Anwendungen ≥ 3 kW, während das flache Profil des Bauelements von 2,3 mm die Leistungsdichte erhöht. Darüber hinaus bietet der MOSFET eine extrem niedrige Gate-Ladung von 70 nC. Die daraus resultierende FOM von 3,15 Ω*nC ist um 2,27 % niedriger als die des nächstbesten MOSFETs derselben Klasse, was sich in geringeren Leitungs- und Schaltverlusten niederschlägt, somit Energie spart und die Effizienz erhöht. Dadurch kann der Baustein die spezifischen Anforderungen für Server-Netzteile mit Wirkungsgraden der Titanium-Klasse erfüllen oder einen Spitzenwirkungsgrad von 98 % in Telekom-Netzteilen erreichen.

Zur Verbesserung der Schaltleistung in Zero Voltage Switching (ZVS)-Topologien wie LLC-Resonanzwandlern bietet der SiHK045N60EF eine niedrige effektive Ausgangskapazitäten Co(er) und Co(tr) von 171 pf bzw. 1069 pF. Der Co(tr)-Wert des Bauelements ist um 8,79 % niedriger als der nächstbeste MOSFET derselben Klasse, während seine schnelle Body-Diode einen niedrigen Qrr-Wert von 0,8 μC für erhöhte Zuverlässigkeit in Brückentopologien aufweist. Mit einem maximalen Wärmewiderstand zwischen Sperrschicht und Gehäuse von 0,45 K/W bietet das PowerPAK 10 x 12-Gehäuse darüber hinaus die beste thermische Performance aller SMD-Gehäuse. Gegenüber Bauteilen im PowerPAK 8 x 8-Gehäuse weist der SiHK045N60EF somit einen um 31 % geringeren Wärmewiderstand auf.

Der MOSFET ist für Überspannungstransienten im Avalanche-Modus mit zu 100 % durch UIS-Tests garantierten Grenzwerten ausgelegt, RoHS-konform, halogenfrei und Vishay Green.

Muster und Produktionsstückzahlen des SiHK045N60EF sind ab sofort erhältlich.

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