- AEC-qualifizierte 4-Quadranten-Silizium-PIN-Photodiode im SMD-Gehäuse mit Empfindlichkeitsmaximum bei 950 nm
- Für die Erfassung schwacher Lichtsignale optimierte, AEC-Q101-qualifizierte Photodiode im SMD-Gehäuse mit undurchsichtigen Seitenwänden bietet hervorragenden Signal/Rauschabstand und nahezu perfekten Gleichlauf zwischen den Segmenten
Malvern (USA)/Selb - 28. Januar 2022 – Eine neue, AEC-qualifizierte 4-Quadranten-Silizium-PIN-Photodiode in einem Standard-SMD-Gehäuse präsentiert die Optoelectronics Group von Vishay Intertechnology. Die neue Photodiode K857PH von Vishay Semiconductors kombiniert hohe Lichtempfindlichkeit mit einem geringen Übersprechen von nur 0,1% und vernachlässigbar geringen Toleranzen zwischen den einzelnen Segmenten.
In einem 4,72 mm x 4,72 mm x 0,8 mm großen Top-View-SMD-Gehäuse vereint das AEC-Q101-qualifizierte Bauteil vier monolithische PIN-Dioden mit einer aktiven Fläche von jeweils 1,6 mm2. Die lichtundurchlässigen Seitenwände der Photodiode K857PH verhindern das Eindringen von Streulicht, daraus resultiert ein hervorragender Signal/Rauschabstand. Die lineare Kennlinie der Photodiode ermöglicht die genaue Erfassung schwacher Lichtsignale in Anwendungen wie Regen-/Umgebungslicht-Sensoren im Automobil, Industrieautomatisierungssysteme, Laserstrahl-Justierung und Virtual Reality.
Zu den Besonderheiten der auf homogener Technologie basierenden Photodiode zählen ein weiter Empfindlichkeitsbereich von 710 nm bis 1100 nm, ein Empfindlichkeitsmaximum bei 950 nm und ein Foto-Sperrstrom von 11 µA pro Segment bei Ee = 1 mW/cm² und 940 nm Wellenlänge. Die Photodiode hat einen Empfindlichkeitshalbwertwinkel von ±60° und ist für den Temperaturbereich von –40°C bis +110°C spezifiziert. Sie ist RoHS-konform, halogenfrei und "Vishay Green"; die Floor-Life-Zeit nach J-STD-020 beträgt 186 h.
Lieferbar ist die neue 4-Quadranten-Photodiode ab sofort in Muster- und Produktionsstückzahlen mit einer Lieferzeit von 10 Wochen.
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