Bester–80-V-p-Kanal-MOSFET seiner Klasse für Automobilanwendungen stellt neue Rekorde für Energieeffizienz und Leistungsdichte auf

• Bester–80-V-p-Kanal-MOSFET seiner Klasse für Automobilanwendungen stellt neue Rekorde für Energieeffizienz und Leistungsdichte auf
• Beste FOM-Spezifikation in dieser Klasse, AEC-Q101-qualifiziert, kompaktes PowerPAK®-SO-8L-Gehäuse mit Gullwing-Anschlüssen

Malvern (USA)/Selb – 7. April 2021 – Vishay Intertechnology präsentiert den weltbesten AEC-Q101-qualifizierten –80-V-p-Kanal-TrenchFET®-MOSFET. Der neue SQJA81EP von Vishay Siliconix bietet unter allen –80-V-p-Kanal-MOSFETs den geringsten On-Widerstand und erhöht die Leistungsdichte und Energieeffizienz in Automobilanwendungen. Im nur 5,13 mm x 6,15 mm großen PowerPAK®-SO-8L-Gehäuse mit Gullwing-Anschlüssen bietet dieser MOSFET On-Widerstandswerte von 17,3 mOhm (max.) bis 14,3 mOhm (typ.) bei 10 V Gate-Spannung.
Verglichen mit dem nächstbesten Wettbewerbsprodukt im DPAK-Gehäuse ist der On-Widerstand des neuen, AEC-Q101-qualifizierten MOSFETs um 28% geringer – bei einer um 50% kleineren Grundfläche, zugleich ist er um 31% niedriger als bei Produkten der Vorgängergeneration. Diese hervorragenden Werte führen zu einer signifikanten Verringerung der Durchlassverluste, das spart Energie und ermöglicht eine höhere Leistungsdichte, sowie zu einer höheren Ausgangsleistung bei gleichen Abmessungen. Die Kombination aus dem extrem kleinen On-Widerstand und der äußerst geringen Gate-Ladung des SQJA81EP (ab 52 nC bei 10 V Gate-Spannung) ergibt einen entsprechend kleinen FOM-Wert (Produkt aus Gate-Ladungs- und On-Widerstand); dies ist eine wichtige Kennzahl für MOSFETs in Energiewandler-Anwendungen.

Der für Betriebstemperaturen bis +175°C ausgelegte SQJA81EP bietet die in Automobilanwendungen wie Verpolungsschutz, Batteriemanagement, High-Side-Lastschalter und LED-Beleuchtung geforderte hohe Robustheit und Zuverlässigkeit. Seine Gullwing-Anschlüsse vereinfachen die automatisierte Sichtkontrolle (AOI) und minimieren mechanische Spannungen bei Temperaturänderungen, das erhöht die Zuverlässigkeit auf der Leiterplattenebene.

Die hohe Sperrspannung von –80 V bietet eine große Sicherheitsreserve beim Betrieb an üblichen Bordnetz-Spannungen von 12 V, 24 V und 48 V. Dank der höheren Leistungsdichte des SQJA81EP müssen weniger Bauteile parallelgeschaltet werden, dadurch wird Leiterplattenfläche eingespart. Als p-Kanal-MOSFET vereinfacht er die Gate-Treiber-Schaltung, da die bei n-Kanal-Typen erforderliche Ladungspumpe entfällt. Der bleifreie, halogenfreie und RoHS-konforme MOSFET ist 100%-ig Rg- und UIS-getestet.

Lieferbar ist der SQJA81EP ab sofort in Muster- und Produktionsstückzahlen mit einer Lieferzeit von 14 Wochen.