• EasyDUAL™ CoolSiC™ MOSFET-Leistungsmodule mit neuem Keramik-Substrat ermöglichen höhere Leistungsdichte und kompaktere Designs

München – 29. April 2021 – Ein neues Leistungsmodul mit Keramik-Substrat aus Aluminiumnitrid (AIN) ergänzt die EasyDUAL™ CoolSiC™ MOSFET-Familie der Infineon Technologies AG. Die Bauteile sind erhältlich als Halbbrücken-Konfiguration mit einem Durchlasswiderstand (R DS(on)) von 11 mΩ in einem EasyDUAL 1B-Gehäuse sowie mit 6 mΩ in einem EasyDUAL 2B-Gehäuse. Durch die verbesserten Eigenschaften der Hochleistungskeramik eignen sich die 1200-V-Module für Anwendungen mit hoher Leistungsdichte wie Solaranlagen, unterbrechungsfreie Stromversorgungen, Hilfsbetriebeumrichter sowie Energiespeichersysteme und Ladestationen für Elektrofahrzeuge.

Die EasyDUAL-Module FF11MR12W1M1B70 und FF6MR12W2M1B70 sind mit der neuesten CoolSiC-MOSFET-Technologie ausgestattet, die eine hervorragende Gate-Oxid-Zuverlässigkeit aufweist. Durch die verbesserte Wärmeleitfähigkeit des DCB-Materials lässt sich der Wärmwiderstand zum Kühlkörper (R thJH) um bis zu 40 Prozent reduzieren. In Kombination mit den CoolSiC-Easy-Modulen verbessert die neue AlN-Keramik entweder die Ausgangsleistung oder senkt die Sperrschichttemperaturen. Damit kann eine verbesserte Lebensdauer des Systems erreicht werden.

Verfügbarkeit

Die EasyDUAL CoolSiC MOSFET-Module FF11MR12W1M1B70 und FF6MR12W2M1B70 sind ab sofort erhältlich. Weitere Informationen sind erhältlich unter www.infineon.com/easy. Das EasyDUAL wird auf der Virtual Power Conference von Infineon gezeigt, die die „PCIM Europe digital days“ begleitet.

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