• EasyPACK™ CoolSiC™ MOSFET-Modul unterstützt schnelles Schalten bei Solaranlagen mit DC-Link-Spannung von 1500 V und ESS-Anwendungen

München – 28. April 2021 – Die Infineon Technologies AG ergänzt die EasyPACK™ 2B-Module der 1200-V-Familie mit einem neuen Bauteil. Dieses verwendet die 3-Level Active NPC-(ANPC)-Topologie und umfasst CoolSiC™ MOSFETs, TRENCHSTOP™ IGBT7-Chips, einen NTC-Temperatursensor sowie die PressFIT-Kontakttechnologie. Das Leistungsmodul eignet sich für schnell schaltende Anwendungen wie Energiespeichersysteme (ESS). Darüber hinaus verbessert es die Leistungswerte und den Wirkungsgrad von Solaranlagen und unterstützt die wachsende Nachfrage nach Solaranwendungen mit 1500-V-DC-Link.

Durch die Verwendung der neuesten CoolSiC MOSFET- und TRENCHSTOP IGBT7-Technologie kombiniert mit der erhöhten Diodenleistung, unterstützt das Easy-Modul F3L11MR12W2M1_B74 den gesamten Leistungsfaktor-(cos-φ)-Bereich. Der Einsatz eines einzelnen Moduls pro Phase ermöglicht eine Leistung von bis zu 75 kW in Energiespeicheranwendungen. In Solaranwendungen kann durch die Parallelschaltung zweier Module pro Phase eine Leistung von bis zu 150 kW erreicht werden.

Das Modul sorgt mit seiner verbesserten Pinpositionierung außerdem für kurze und saubere Stromübertragungsschleifen mit reduzierten Modul-Streuinduktivitäten. Es ermöglicht mit seinem optimierten Layout eine hervorragende Wärmeleitung der CoolSiC-MOSFET-Chips innerhalb des EasyPACK 2B-Gehäuses. Darüber hinaus unterstützt das Leistungsmodul ein einfaches Design-In und sorgt für einen hohen Freiheitsgrad für das Design von Umrichtern.

Verfügbarkeit

Das EasyPACK CoolSiC MOSFET-Modul F3L11MR12W2M1_B74 kann ab sofort bestellt werden. Weitere Informationen sind erhältlich unter www.infineon.com/easy. Es wird auf der Virtual Power Conference von Infineon gezeigt, die die „PCIM Europe digital days“ begleitet.

Virtual Power Conference 2021 von Infineon

Experience the difference in Power – Der Schlüssel zu einer energieeffizienten Welt sind Leistungshalbleiter. Neue Technologien wie Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN) erhöhen die Leistungseffizienz und ermöglichen kleinere Formfaktoren bei gleichzeitig geringerem Gewicht. Nach wie vor spielt aber auch Silizium eine große Rolle bei den Designs. Energieeffizienz ist Schwerpunkt der „Virtual Power Conference“ von Infineon vom 4. bis 6. Mai 2021. Als führender Anbieter von Leistungshalbleitern präsentiert das Unternehmen auf der exklusiven digitalen Plattform Technologien und Methoden, um Energie effizienter zu erzeugen, sie mit geringeren Verlusten zu übertragen und zu verteilen und sie in einem breiten Anwendungsspektrum effizienter zu nutzen. Industrie, Transport & eMobility und Verbraucher stellen dabei die Themenschwerpunkte dar. Die Online-Plattform öffnet ihre Türen am 4. Mai 2021.

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