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  • Erster Raumfahrt-qualifizierter F-RAM mit serieller Schnittstelle bietet nichtflüchtigen Speicher mit 2 Mb für extreme Umgebungen

München – 14. April 2022 – Infineon Technologies LLC, ein Unternehmen der Infineon Technologies AG, präsentiert die ersten strahlungsfesten, seriellen ferroelektrischen RAM (F-RAM) Speicher für extreme Umgebungen in der Raumfahrt. Die neuen Bauteile sind äußerst zuverlässig und speichern Daten sicher ab. Zudem sind sie energieeffizienter als nichtflüchtige EEPROM- und serielle NOR-Flash-Bauteile.

Mit der Erweiterung des Speicherportfolios um einen QML-V-qualifizierten F-RAM stellt Infineon die Vorteile dieser Technologie auch für Raumfahrtanwendungen zur Verfügung. Dazu zählen eine fast unendliche Lebensdauer, eine sofortige nichtflüchtige Schreibtechnologie und eine Datenhaltbarkeit von über 100 Jahren. Der strahlungsfeste F-RAM ist ein direkter Ersatz für serielle NOR-Flash- und EEPROM-Speicher. Er protokolliert missionskritische Informationen zuverlässig und speichert Telemetrie- sowie Kommando- und Kontrolldaten. Darüber hinaus eignet sich das neue Bauteil für Bootcode-Speicherlösungen für Mikrocontroller, FPGAs und ASICs.

Der F-RAM unterstützt das Industriestandardprotokoll SPI (Serial Peripheral Interface). Dadurch wird die Benutzerfreundlichkeit verbessert und eine kleinere Grundfläche sowie eine geringere Anzahl von Pins ermöglicht. Serielle Protokolle werden immer häufiger in Satelliten- und Raumfahrtanwendungen eingesetzt, wobei mehrere Hersteller nun auch SPI-fähige Prozessoren, FPGAs und ASICs für die Raumfahrt anbieten.

„Infineon ist ein anerkannter Marktführer für hochzuverlässige Lösungen in der Raumfahrt, sowohl durch unser IR-HiRel-Geschäft als auch bei Space-Grade-Speichern. Daher ist es unser Ziel, die zuverlässigsten und energieeffizientesten Speicher für die nächste Generation von Raumfahrtanwendungen zu liefern“, sagt Helmut Puchner, Vice President Fellow of Aerospace and Defense bei Infineon Technologies. „Im Vergleich zu anderen Speichermodellen haben die neuen strahlungsfesten F-RAM-Bauteile überlegene Schreibfähigkeiten bei gleichzeitig geringerem Energiebedarf. Zudem unterstützen sie Systemdesigns durch einen niedrigeren Bedarf an Komponenten, verbesserte Leistung und ohne Kompromisse bei der Zuverlässigkeit. Wir freuen uns darauf, weitere Branchenneuheiten auf den Raumfahrtmarkt zu bringen.“

Der F-RAM mit 2 Mb Dichte und SPI ist das erste Produkt in der Familie der strahlungsfesten nichtflüchtigen F-RAMs. Die Bauteile haben mit 10 Billionen Lese-/Schreibzyklen, 120 Jahren Datenerhalt bei 85 °C und einer Betriebsspannung von 2,0 V bis 3,6 V eine praktisch unendliche Lebensdauer. Der niedrigste Betriebsstrom beträgt maximal 10 mA, bei einer sehr niedrigen Programmierspannung von 2 V.

Die strahlungsfesten F-RAMs eignen sich für Anwendungen wie beispielsweise der Luftfahrt, die beim Temperaturbereich militärische Standards von -55 °C bis 125 °C erfordern. Zu den weiteren Merkmalen gehört eine kleine Grundfläche mit einem 16-Pin-Keramik-SOP-Gehäuse. Die für DLAM QML-V qualifizierten Bauteile haben eine hervorragende Strahlungsleistung von:

  • TID: >150 Krad (Si)
  • SEL: >114 MeV·cm 2/mg @115°C
  • SEU: immun
  • SEFI: <1,34 * 10-4 err/dev.day

Verfügbarkeit

Die strahlungsfesten, nicht flüchtigen seriellen 2-MB-F-RAMs können ab sofort bestellt werden. Weitere Informationen sind erhältlich unter https://www.infineon.com/hirelmemory

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