• In Puncto Effizienz und Leistungsdichte die Zukunft im Blick: SiC-MOSFETs von ON Semiconductor im Angebot von RS
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N-Kanal-MOSFETs setzen Messlatte nach oben


Frankfurt am Main, 10. Dezember 2020. RS Components (RS), Handelsmarke der Electrocomponents plc (LSE:ECM), ein globaler Omni-Channel Lösungspartner für Industriekunden und Lieferanten, hat die die neuesten ON Semiconductor-MOSFETs mit einer maximalen Drain-Source-Spannung von 1200 V ins Sortiment aufgenommen. Basierend auf der Siliziumkarbid (SiC) -Technologie können diese Leistungshalbleiter die Messlatte was die Leistung betrifft weiter nach oben verschieben.

Die neuen N-Kanal-SiC-MOSFETs unterstützen beschleunigte Schaltgeschwindigkeiten (mit Anstiegszeiten von nur 10 ns). Sie weisen bei minimalen Leistungsverlusten Einschaltwiderstandswerte von bis zu 20 mΩ sowie branchenführende Gate-Ladungswerte auf. Diese Komponenten sind außergewöhnlich robust und können Stoßimpulse mit ultrahohem Strom bewältigen. Sie haben eine dielektrische Durchbruchfeldstärke, die um eine Größenordnung größer ist als bei äquivalenten Silizium-MOSFETs. Ihr Arbeitstemperaturbereich reicht von -55 ° C bis + 175 ° C.



Die 1200-V-SiC-MOSFET-Bauelemente werden in kompakten TO247-Gehäusen und oberflächenmontiertem D2PAK geliefert. Sie sind Pb-frei, entsprechen vollständig den RoHS-Umweltrichtlinien und sind zu 100% UIL-geprüft. Zu den Hauptanwendungsfeldern gehören unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV), Ladestationen für Elektrofahrzeuge, DC/DC-Wandler, Motorsteuerungssysteme und Solarwechselrichter. AEC Qualifizierte Varianten sind erhältlich.



Die N-Kanal-SiC-MOSFETs liefert RS jetzt in den Regionen EMEA und Asien-Pazifik.

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