• Infineon plant Übernahme von GaN Systems, stärkt damit sein GaN-Portfolio und baut weltweite Führungsposition bei Power-Systems weiter aus

München, Deutschland, und Ottawa, Kanada – 02. März 2023 – Die Infineon Technologies AG und GaN Systems Inc. („GaN Systems“) haben heute einen Vertrag unterzeichnet, demzufolge Infineon GaN Systems für 830 Millionen US-Dollar erwerben wird. GaN Systems ist ein weltweiter Technologieführer bei der Entwicklung von GaN-basierten Lösungen für die Energiewandlung. Das Unternehmen hat seinen Hauptsitz in Ottawa, Kanada, und beschäftigt mehr als 200 Mitarbeitende.

„Die GaN-Technologie ebnet den Weg für weitere effiziente und CO2-sparende Lösungen, die die Dekarbonisierung unterstützen. Anwendungen wie mobiles Laden, Stromversorgung von Rechenzentren, Solarwechselrichter für Privathaushalte und Onboard-Ladegeräte für Elektrofahrzeuge stehen kurz vor dem Durchbruch und führen zu einem dynamischen Marktwachstum“, sagte Jochen Hanebeck, Vorstandsvorsitzender von Infineon. „Die geplante Übernahme von GaN Systems wird unsere GaN-Roadmap dank unübertroffener F&E-Ressourcen, einem umfassenden Applikations-Verständnis und einer Vielzahl von Kundenprojekten deutlich beschleunigen. Im Einklang mit unserer Strategie stärkt diese Akquisition die Führungsposition von Infineon im Bereich Power-Systems, die wir durch die Beherrschung aller relevanten Energietechnologien unterstreichen, sei es auf Silizium, Siliziumkarbid oder Galliumnitrid.“

Jim Witham, CEO von GaN Systems, sagte: „Das Team von GaN Systems freut sich darauf, unter dem Dach von Infineon zu einem differenzierenden Kundenangebot beizutragen, indem wir unsere komplementären Stärken bündeln. Durch die beiderseitigen Erfahrungen mit hochwertigen Lösungen werden wir das Potenzial von GaN optimal ausschöpfen. Die Foundry-Korridore von GaN Systems und die internen Fertigungskapazitäten von Infineon bieten in ihrer Kombination maximale Wachstumschancen, um den beschleunigten Einsatz von GaN in zahlreichen Zielmärkten zu bedienen. Ich bin sehr stolz auf das, was GaN Systems bisher erreicht hat, und freue mich darauf, diese Erfolgsgeschichte mit Infineon fortzuschreiben. Infineon ermöglicht es uns in seiner Eigenschaft als Integrated Device Manufacturer, unser volles Potenzial ausschöpfen.“

Das Wide-Bandgap-Material GaN bietet Kunden Mehrwert durch eine höhere Leistungsdichte, einen höheren Wirkungsgrad und reduzierte Größen, insbesondere bei höheren Schaltfrequenzen. Diese Eigenschaften ermöglichen Energieeinsparungen und kleinere Formfaktoren, wodurch sich GaN für ein breites Anwendungsspektrum eignet. Marktanalysten erwarten, dass der Umsatz mit GaN-Produkten für Leistungsanwendungen bis 2027 um 56% CAGR auf ca. 2 Milliarden US-Dollar steigt (Quelle: Yole, Compound Semiconductor Market Monitor-Module I Q4 2022). Damit entwickelt sich GaN neben Silizium und Siliziumkarbid zu einem entscheidenden Material für Leistungshalbleiter, in Verbindung mit neuen Topologien wie Hybrid Flyback und Multi-Level-Implementierungen. Mit der Investition von mehr als 2 Milliarden Euro in eine neue Frontend-Fabrik in Kulim, Malaysia, kündigte Infineon bereits im Februar 2022 einen erheblichen Ausbau seines Engagements im Bereich Wide-Bandgap sowie eine weitere Stärkung seiner Marktposition an. Die ersten Wafer werden die Fertigung in der zweiten Hälfte des Jahres 2024 verlassen und ergänzen die bestehenden Wide-Bandgap-Fertigungskapazitäten von Infineon in Villach, Österreich.

Die geplante Übernahme von GaN Systems wird aus den vorhandenen liquiden Mitteln finanziert. Die Transaktion unterliegt den üblichen Abschlussbedingungen und behördlichen Genehmigungen.

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