- Neu bei Schukat: High-Voltage-MOSFETs von Taiwan Semiconductor
- N-Channel-MOSFETs im TO251-, TO220- und ITO220-Gehäuse
Monheim, 3. Mai 2017 – Schukat hat das komplette neu aufgebaute Programm an Hochspannungs-MOSFETs von Taiwan Semiconductor ins Sortiment aufgenommen. Alle neuen N-Channel-MOSFETs sind für hohe Drain-Source-Spannungen von 500V bis 900V ausgelegt und erlauben Drainströme bis zu 18A (TSM60NB190CI/CZ). In den gängigen MOSFET-Gehäusen TO251, TO220 und ITO220 sind die Bauteile untergebracht. TSC setzt bei seinen neuen Leistungs-MOSFETs neben der weit verbreiteten Planar-Technologie nun zunehmend auf die Super-Junction-Technologie (TSM60Nxx, TSM70Nxx und TSM80Nxx). Diese ermöglicht schneller und effizienter schaltende MOSFETs mit verbessertem Sperrverhalten. So produziert der taiwanesische Hersteller bereits 600V-Super-Junction-MOSFETs in der zweiten Generation (TSM60NBxxi), die ab Lager Schukat erhältlich sind. Durch die Reduzierung des Einschalt-Widerstandes RDS(on) und der Gate-Ladung Qg ergibt sich bei diesen Super-Junction-MOSFETs ein deutlich verbessertes FOM (figure of merit = RDS(on) x Qg), verglichen mit MOSFETs, die in Planar-Technologie gefertigt werden. Für den Anwender bedeutet das deutlich geringere Leitungs- und Schaltverluste in allen Applikationen. Die neuen High-Voltage-MOSFETs von TSC sind ab sofort ab Lager Schukat verfügbar.
© Schukat electronic Vertriebs GmbH
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