- Neue 650-V-SiC-Schottky-Dioden der Generation 3 verbessern Effizienz und Zuverlässigkeit von Schaltnetzteilen
- Bauelemente im MPS-Design mit 4 A bis 40 A bieten geringere Vorwärtsspannung, kapazitive Ladung und Sperrstrom
Malvern (USA)/Selb – 17. Mai 2023 – Vishay Intertechnology stellt 17 neue 650-V-Siliziumkarbid (SiC)-Schottky-Dioden der Generation 3 vor. Diese neuen Bauelemente von Vishay Semiconductors zeichnen sich durch ein Merged-PIN-Schottky-Design (MPS) aus und kombinieren hohe Stoßstromfestigkeit mit niedriger Vorwärtsspannung, kapazitiver Ladung und niedrigem Sperrstrom, um die Effizienz und Zuverlässigkeit in Schaltnetzteil-Designs zu erhöhen.
Die SiC-Dioden der nächsten Generation bestehen aus Bauelementen mit 4 A bis 40 A in den TO-22OAC 2L und TO-247AD 3L für die Durchsteckmontage sowie D2PAK 2L (TO-263AB 2L) für die Oberflächenmontage. Ihre MPS-Struktur reduziert die Vorwärtsspannung um 0,3 V im Vergleich zu Lösungen der vorherigen Generation, während das Produkt aus Vorwärtsspannung und kapazitiver Ladung – eine wichtige Kennzahl für die Leistungseffizienz – um 17 % geringer ist.
Der typische Sperrstrom dieser Dioden ist bei Raumtemperatur um 30 % und bei hohen Temperaturen um 70 % niedriger als bei der nächstbesten vergleichbaren Lösung der Mitbewerber. Dadurch werden Leitungsverluste reduziert und ein hoher Systemwirkungsgrad bei geringer Last und im Leerlauf gewährleistet. Im Gegensatz zu ultraschnellen Dioden haben die Bauelemente der Generation 3 praktisch keine Erholungsphase, was die Effizienz noch weiter erhöht.
Gegenüber Siliziumdioden mit vergleichbarer Durchbruchsspannung bieten die SiC-Bauelemente eine höhere Wärmeleitfähigkeit, einen geringeren Sperrstrom und kürzere Erholzeiten in Sperrrichtung. Die Sperr-Erholzeiten der Dioden sind nahezu temperaturunabhängig und ermöglichen den Betrieb bei höheren Temperaturen bis zu +175 °C, ohne dass sich die durch Schaltverluste verursachte Leistungseffizienz ändert.
Typische Anwendungen für die Bauelemente sind AC/DC-PFC und DC/DC-Ultrahochfrequenz-Ausgangsgleichrichtung in FBPS- und LLC-Wandlern für Energieerzeugungs- und Forschungsanwendungen. Die RoHS-konformen und halogenfreien Dioden bieten eine hohe Zuverlässigkeit und haben einen HTRB (Higher Temperature Reverse Bias)-Test von 2000 Stunden sowie einen Temperaturwechseltest von 2000 thermischen Zyklen bestanden. Dies entspricht der doppelten Anzahl von Prüfstunden und -zyklen der AEC-Q101-Anforderungen.
Muster und Produktionsstückzahlen der neuen SiC-Dioden sind ab sofort mit einer Lieferzeit von acht Wochen erhältlich
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