• Neue 650-V-SiC-Schottky-Dioden steigern die Energieeffizienz in Hochfrequenzanwendungen
  • Schottky-Dioden im MPS-Design mit Nennströmen von 4A bis 40A reduzieren Schaltverluste und Einflüsse von Temperaturschwankungen

Malvern (USA)/Selb – 27. Januar 2021 – Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) präsentiert zehn neue 650-V-Siliziumkarbid- (SiC) Schottky-Dioden. Die auf einem MPS- (merged PIN Schottky) Design basierenden Schottky-Dioden von Vishay Semiconductors wurden mit dem Ziel entwickelt, die Schaltverluste zu verringern und dadurch die Energieeffizienz von Hochfrequenzanwendungen zu verbessern. Zugleich wurden die Einflüsse von Temperaturschwankungen reduziert, wodurch die Bauteile bei höheren Temperaturen als bisher betrieben werden können.

Das MPS-Design der neuen Schottky-Dioden bewirkt eine Abschirmung des elektrischen Feldes gegenüber der Schottky-Barriere - es verringert Leckströme und erhöht durch Löcherinjektion die Spitzenstrombelastbarkeit. Im Vergleich zu Schottky-Dioden auf der Basis von reinem Silizium sind diese Bauteile bei vergleichbarer Strombelastbarkeit und nur geringfügig höherer Durchlassspannung wesentlich robuster.

Diese Schottky-Dioden eröffnen Entwicklern neue Möglichkeiten zur Systemoptimierung in Anwendungen wie Leistungsfaktorkorrektur-Schaltungen (PFC), Schaltnetzteilen mit hoher Leistung und hoher Taktfrequenz und LLC-Wandlern für Server, Telekomausrüstung, UPS- und Solar-Wechselrichter. Verfügbar sind die Schottky-Dioden mit Nennströmen von 4 A bis 40 A in den Gehäusebauformen 2L TO-220AC und TO-247AD 3L; sie sind für Betriebstemperaturen bis +175°C ausgelegt.

Lieferbar sind die neuen SiC-Schottky-Dioden ab sofort in Muster- und Produktionsstückzahlen bei einer Lieferzeit von zehn Wochen.

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