- Neue TMBS®-Gleichrichter im flachen SMP-Gehäuse bieten höhere Leistungsdichte und verbessern die Energieeffizienz
- Nennströme von 2 A oder 3 A, Sperrspannungen von 45 V bis 200 V, Durchlassspannungen ab 0,36 V
Malvern (USA)/Selb – 22. Januar 2020 – Vishay Intertechnology hat sein Angebot an TMBS®-Trench-MOS-Barrier-Schottky-Gleichrichtern in SMT-Bauform um 16 neue 2 A- und 3 A-Typen der Serie eSMP® im flachen SMP- (DO-220AA) Gehäuse erweitert. Diese neuen Dioden von Vishay General Semiconductor decken den weiten Sperrspannungsbereich von 45 V bis 200 V ab und bieten mit Nennströmen von bis zu 3 A die höchste Leistungsdichte unter allen vergleichbaren Bauteilen im SMP-Gehäuse.
Durch ihre sehr geringe Durchlassspannung von nur 0,36 V (2 A-Typen) bzw. 0,37 V (3 A-Typen) reduzieren die Dioden die Leistungsverluste und erhöhen den Wirkungsgrad von Hochfrequenz-Wechselrichter-, Gleichspannungswandler-, Freilaufdioden- und Verpolungsschutz-Schaltungen in kommerziellen und industriellen Anwendungen. Sie sind auch in AEC-Q101-qualifizierten Versionen für Automobil-Anwendungen erhältlich.
Die Bauteile sind für eine maximale Sperrschichttemperatur von +175°C spezifiziert, erfüllen die Anforderungen des Standards J-STD-020 MSL (Moisture Sensitivity Level) 1, und können bleifrei mit einer Maximaltemperatur von 260°C gelötet werden. Sie sind RoHS-konform und halogenfrei.
Die wichtigsten Spezifikationen:
Lieferbar sind diese TMBS-Gleichrichter ab sofort in Muster- und Produktionsstückzahlen; die Lieferzeit für größere Bestellmengen beträgt acht Wochen.
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