• Neuer 25-V-n-Kanal-Leistungs-MOSFET bietet branchenweit kleinsten On-Widerstand und ermöglicht dadurch höhere Energieeffizienz und Leistungsdichte
  • Maximaler On-Widerstand 0,58mW bei 10V Gate-Source-Spannung, geringe Gate-Ladung von nur 61nC, kompaktes PowerPAK®-SO-8-Single-Gehäuse

Malvern (USA)/Selb – 27. November 2017 – Vishay Intertechnology präsentiert einen neuen 25-V-n-Kanal-TrenchFET®-Gen-IV-Leistungs-MOSFET, der unter allen vergleichbaren Wettbewerbsprodukten den kleinsten On-Widerstand, nämlich 0,58mW bei 10V Gate-Source-Spannung, aufweist. Unter allen MOSFETs mit einem On-Widerstand von weniger als 0,6mW bietet der neue SiRA20DP von Vishay Siliconix die geringste Gate-Ladung und das kleinste Produkt aus Gate-Ladung und On-Widerstand (FOM, figure of merit). Dadurch erhöht er in vielen Anwendungen die Energieeffizienz und Leistungsdichte.

Der neue Leistungs-MOSFET im 6mm x 5mm großen PowerPAK®-SO-8-Gehäuse ist einer von weltweit nur zwei 25-V-MOSFETs mit einem maximalen On-Widerstand von weniger als 0,6mW. Zum Vergleich: Der SiRA20DP hat eine typische Gate-Ladung von 61nC und ein 32% kleineres FOM von 0,035W•nC. Alle anderen 25-V-n-Kanal-MOSFETs haben einen um mindestens 11% größeren On-Widerstand.

Der extrem kleine On-Widerstand des SiRA20DP minimiert die Durchlassverluste, verbessert die Energieeffizienz des Endprodukts und ermöglicht eine höhere Leistungsdichte; dadurch eignet er sich bestens zum Aufbau von redundanten bzw. parallelen Stromversorgungen. Sein sehr kleiner FOM-Wert führt zu einem besseren Schaltverhalten von DC/DC-Wandlern in Stromversorgungen für Telekom- und Server-Anwendungen, beim Umschalten von Batterien in Batteriesystemen und beim Schalten von Lasten in Systemen mit Betriebsspannungen zwischen 5V und 12V.

Der neue MOSFET wird 100% RG- und UIS-getestet und ist RoHS-konform und halogenfrei.
Lieferbar ist der SiRA20DP ab sofort in Muster- und Produktionsstückzahlen; die Lieferzeit für große Bestellmengen beträgt 15 Wochen.

© Vishay Intertechnology, Inc.

Vorheriger Beitrag Nächster Beitrag