• Neuer dreiphasiger MOTIX™ Gate-Treiber-IC von Infineon integriert Power Management Unit, Strommessverstärker und Überstromschutz

München – 18. Januar 2022 – Die MOTIX™-Familie der Infineon Technologies AG für Motorsteuerungsanwendungen im Automobil- und Industriebereich bietet ein breites Produktportfolio von niedrigen bis hohen Integrationsstufen. Um das Angebot weiter auszubauen, stellt Infineon nun den MOTIX 3-Phasen-Gate-Treiber-IC 6ED2742S01Q vor. Der Silicon-on-Insulator (SOI)-Gate-Treiber mit 160 V verfügt über eine integrierte Power Management Unit (PMU) und ist in einem QFN-32-Gehäuse mit thermisch effizientem und freiliegendem Power Pad erhältlich. Damit eignet sich das leicht zu integrierende Bauteil ideal für batteriebetriebene industrielle Motorsteuerungsantriebe für bürstenlosen Gleichstrom-Elektromotoren (BLDC) in Anwendungen wie akkubetriebene Elektrowerkzeuge, Roboter, Drohnen und leichte Elektrofahrzeuge (LEVs).

Der 6ED2742S01Q verfügt über integrierte Bootstrap-Dioden, die für die Stromversorgung der drei externen High-Side-Bootstrap-Kondensatoren sorgen. Durch eine Ladungspumpe unterstützen sie einen 100-prozentigen Arbeitszyklusbetrieb. Zu den Schutzfunktionen gehören Unterspannungs-Lockout, Überstromschutz mit konfigurierbarem Schwellenwert, Fehlerkommunikation und automatische Fehlerbehebung. In die Ausgangstreiber ist eine Hochimpulsstrom-Pufferstufe integriert, die für minimale Treiberquerströme sorgt. Darüber hinaus ist ein Strommessverstärker (CSA) mit wählbarer Verstärkung zwischen der Low-Side-Versorgungsspannung (V SS) und dem Low-Side-Power-Ground-Return (COM) integriert.

Der MOTIX-Gate-Treiber bietet einen Source-Strom von 1 A und einen Sink-Strom von 2 A mit unabhängiger Unterspannungsabschaltung (UVLO) sowohl für High-Side- als auch Low-Side-Gate-Treiber. Das Bauteil bietet eine Laufzeitverzögerung von 100 ns und eine minimale Totzeit von 100 ns mit integrierter Verzögerungsanpassung. Dadurch ermöglicht der Treiber hohe Schaltfrequenzen bei reduzierten Pegelverschiebungsverlusten. Das integrierte Wärmeleitpad des QFN-32-Gehäuses bietet einen sehr geringen Wärmewiderstand und ermöglicht einen zuverlässigen Betrieb.

Der MOTIX 6ED2742S01Q ist für den industriellen Betrieb bei Temperaturen von
-40 °C bis 125 °C ausgelegt und kann sowohl OptiMOS™ als auch StrongIRFET™ MOSFETs in Einzel- oder Parallelkombinationen ansteuern. Er unterstützt Batterie-Spannungsklassen von 10,8 V bis 120 V.

Verfügbarkeit

Der MOTIX™ 6ED2742S01Q kann ab sofort in einem 5 x 5 mm² QFN-32-Gehäuse nach Industriestandard mit Wärmeleitpad und 2 kV HBM ESD-Bewertung bestellt werden. Weitere Informationen sind erhältlich unter www.infineon.com/6ED2742.

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