• Neuester 600-V-E-Serie-MOSFET der vierten Generation stellt mit FOM (RDS(ON)Qg) von nur 2,8 OhmnC neuen Branchenrekord auf
  • Neuer Superjunction-MOSFET verringert Durchlass- und Schaltverluste und verbessert Energieeffizienz und Temperaturmanagement in Telekom-, Server- und Datenzentrum-Anwendungen

Malvern (USA)/Selb – 21. Februar 2022 – Vishay Intertechnology präsentiert das neueste Bauteil seiner vierten Generation von 600-V-Leistungs-MOSFETs der E-Serie: Der n-Kanal-MOSFET SiHK045N60E von Vishay Siliconix bietet einen um 27 % geringeren On-Widerstand und eine um 60 % niedrigere Gate-Ladung als die 600-V-E-Serie-MOSFETs der vorigen Generation. Durch seine hohe Energieeffizienz eignet er sich bestens für Stromversorgungsanwendungen in den Bereichen Telekommunikation, Server und Datenzentren. Unter allen vergleichbaren Produkten am Markt bietet dieser MOSFET das kleinste Produkt aus Gate-Ladung und On-Widerstand – dies ist eine wichtige Kennzahl (FOM, figure of merit) von 600-V-MOSFETs für Spannungswandler-Anwendungen.

Vishay bietet ein breites Spektrum von MOSFET-Technologien, das den gesamten Energieumwandlungsprozess abdeckt – von hohen Eingangsspannungen bis zu sehr niedrigen Betriebsspannungen moderner elektronischer Systeme. Mit dem SiHK045N60E und künftigen Bauteilen der vierten Generation von 600-V-E-Serie-MOSFETs reagiert Vishay auf die steigenden Anforderungen an Energieeffizienz und Leistungsdichte in den ersten Stufen der Energiewandler-Architektur – Leistungsfaktorkorrektur und „hart" schaltende AC/DC-Wandlertopologien.

Der auf der neuesten, energieeffizienten Superjunction-Technologie der E-Serie von Vishay basierende SiHK045N60E hat einen sehr geringen On-Widerstand von nur 0,043 Ohm (typ.) bei 10 V Gate-Spannung und eine ultrageringe Gate-Ladung von nur 65 nC. Die FOM (figure of merit, Produkt von On-Widerstand und Gate-Ladung) von nur 2,8 OHm*nC ist damit um 3,4 % kleiner als beim nächstbesten Wettbewerbsprodukt. Die sehr geringe effektive Ausgangskapazität (Co(er)) des SiHK045N60E von nur of 117 pF gewährleistet ein optimales Schaltverhalten. Diese ausgezeichneten Spezifikationen führen zu verringerten Durchlass- und Schaltverlusten, das spart Energie. Der Wärmewiderstand (RthJC) des SiHK045N60E von nur 0,45 °C/W ist um 11,8% niedriger als beim nächstbesten Wettbewerbsprodukt und gewährleistet dadurch eine signifikant bessere Wärmeabfuhr.

Der MOSFET im PowerPAK®-10x12-Gehäuse ist RoHS-konform und halogenfrei. Für die Überspannungsfestigkeit im Avalanche-Modus werden Grenzwerte garantiert, und das Bauteil wird auf Einhaltung dieser Spezifikation 100%-ig UIS-getestet.

Verfügbar ist der SiHK045N60E ab sofort in Muster- und Produktionsstückzahlen. Die Lieferzeit erfragen Interessenten bei Vishay-Vertriebsbeauftragten oder per eMail an hvm@vishay.com.

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