• Neuester 600-V-MOSFET der E-Serie stellt mit einem RDS(ON)Qg-Produkt (FOM) von nur 3,1OhmnC einen neuen Branchenrekord auf
  • Neuer Superjunction-MOSFET verringert die Durchlass- und Schaltverluste und steigert die Effizienz in Telekommunikations-und Industrieanwendungen

Malvern (USA)/Selb – 28. Januar 2019 – Vishay Intertechnology präsentiert das neueste Bauteil der vierten Generation von 600-V-E-Serie-Leistungs-MOSFETs. Der neue n-Kanal-MOSFET SiHH068N60E von Vishay Siliconix hat einen um 27% geringeren On-Widerstand und eine um 60% geringere Gate-Ladung als die 600-V-E-Serie-MOSFETs der vorherigen Generation. Durch seine hohe Effizienz eignet er sich bestens für Stromversorgungsanwendungen bei Telekommunikation- und Industrieapplikationen. Das Bauteil bietet unter allen vergleichbaren Bauteilen am Markt das geringste Produkt aus Gate-Ladung und On-Widerstand – dies ist eine besondere Leistungszahl (FOM, figure of merit) für 600-V-MOSFETs bei Leistungsumwandlungen.

Vishay bietet ein breites Spektrum von MOSFET-Technologien, die den gesamten Stromumwandlungsprozess abdecken – von hohen Eingangsspannungen bis zu den sehr niedrigen Betriebsspannungen moderner elektronischer Systeme. Der SiHH068N60E und noch kommende Bauteile der vierten Generation der 600-V-E-Serie-MOSFETs ist Vishays Antwort auf die steigenden Anforderungen an Energieeffizienz und Leistungsdichte. In den ersten Stufen der Energiewandlung - Leistungsfaktorkorrektur und hart geschaltete DC/DC-Wandlertopologien – leistet das Unternehmen seinen Beitrag die Effizienz und Leistungsdichte zu verbessern.

Der auf der neuesten, energieeffizienten Superjunction-Technologie der E-Serie basierende SiHH068N60E hat einen maximalen On-Widerstand von nur 0,059 Ohm bei 10V Gate-Spannung und eine sehr geringe Gate-Ladung von nur 53nC. Die FOM-Spezifikation (figure of merit) von nur 3,1 Ohm*nC ist damit um 12% niedriger als der nächstgelegene konkurrierende MOSFET in derselben Klasse. Auch die sehr niedrigen effektiven Ausgangskapazitäten Co(er) und Co(tr) von nur 94 pF bzw. 591 pF tragen zu dem hervorragenden Schaltverhalten des SiHH068N60E bei. All diese Werte führen zu verringerten Durchlass- und Schaltverlusten und somit zu einer Energieersparnis.

Der neue MOSFET im PowerPAK®-8x8-Gehäuse ist RoHS-konform und halogenfrei. Für die Überspannungsfestigkeit im Avalanche-Modus werden Grenzwerte garantiert, und das Bauteil wird auf Einhaltung dieser Spezifikation 100%-ig UIS-getestet.

Lieferbar ist der SiHH068N60E ab sofort in Muster- und Produktionsstückzahlen mit einer Lieferzeit von zehn Wochen.

© Vishay Intertechnology, Inc.

Vorheriger Beitrag Nächster Beitrag