Nur 3,3 mm2 großer 60-V-MOSFET von Vishay Intertechnology: Niedriger RDS(ON) von nur 4 mOhm bringt höhere Energieeffizienz und Leistungsdichte

• Nur 3,3 mm2 großer 60-V-MOSFET von Vishay Intertechnology: Niedriger RDS(ON) von nur 4 mOhm bringt höhere Energieeffizienz und Leistungsdichte
• Für Standard-Gate-Treiber-Anwendungen vorgesehener MOSFET im PowerPAK®-1212-8S-Gehäuse Gate- Ladung von nur 22,5 nC und ein QOSS von nur 34,2 nC

Malvern (USA)/Selb – 12. August 2019 – Vishay Intertechnology präsentiert einen neuen, für Standard-Gate-Treiber-Anwendungen optimierten 60-V-TrenchFET®-Gen-IV-n-Kanal-Leistungs-MOSFET im thermisch optimierten 3,3 mm x 3,3 mm großen PowerPAK®-1212-8S-Gehäuse. Als weltweit erstes Bauteil dieser Art weist er bei 10 V Gate-Spannung einen maximalen On-Widerstand von nur 4 mOhm auf. Der neue MOSFET SiSS22DN von Vishay Siliconix ermöglicht durch seine geringe Gate-Ladung von nur 22,5 nC und seine ähnlich geringe Ausgangsladung (QOSS) Schaltertopologien mit höherer Energieeffizienz und größerer Leistungsdichte.

Anders als 60-V-Leistungs-MOSFETs, die für Ansteuerung mit Logikpegel vorgesehen sind, wurden die typischen VGS(th)- und Miller-Plateau-Spannungen des SiSS22DN für Schaltungen mit Gate-Treiberspannungen größer als 6 V ausgelegt. Dadurch bietet das Bauteil optimale dynamische Eigenschaften, die kurze Totzeiten ermöglichen und den Shoot-through-Effekt in Synchrongleichrichter-Anwendungen verhindern. Der On-Widerstand des SiSS22DN ist um 4,8% geringer als beim nächstbesten Wettbewerbsprodukt und braucht keinen Vergleich mit dem besten Logikpegel-MOSFET zu scheuen. Dank der niedrigen QOSS von nur 34,2 nC stellt der SiSS22DN einen neuen Klassenrekord für das Produkt aus QOSS und On-Widerstand auf. Dies ist eine wichtige Kennzahl (FOM, figure of merit) von MOSFETs, die in Spannungswandlerschaltungen mit ZVS- (zero voltage switching) oder Switch-Tank-Topologie eingesetzt werden. Das Bauteil benötigt 65% weniger Leiterplattenfläche als vergleichbare MOSFETs im 6 mm x 5 mm großen Gehäuse und ermöglicht dadurch deutlich höhere Leistungsdichten.

Die Eigenschaften des SiSS22DN wurden sowohl auf minimale Durchlass- als auch minimale Schaltverluste optimiert. Das führt zu einem höheren Wirkungsgrad in unterschiedlichen Funktionsblöcken eines Power-Management-Systems, darunter Synchrongleichrichter in AC/DC- und DC/DC-Topologien, primärseitige Schalter in DC/DC-Wandlern, Halbbrücken-MOSFET-Leistungsstufen in Buck-Boost-Wandlern und OR-Funktionalität in Telekom- und Server-Netzteilen, Motorsteuerungen und Schutzschaltungen in Elektrowerkzeugen und Industrieausrüstung sowie Batterieschutz- und Ladeschaltungen in Batterie-Management-Modulen.

Der neue MOSFET wird 100% RG- und UIS-getestet und ist RoHS-konform und halogenfrei.

Lieferbar ist der SiSS22DN ab sofort in Muster- und Produktionsstückzahlen; die Lieferzeit ist von der aktuellen Marktsituation abhängig und beträgt derzeit etwa 30 Wochen.