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  • Smarte 70/80/100-Ampere-VRPower®-Leistungsstufen unterstützen Mikroprozessoren der neuesten Generation durch höhere Energieeffizienz und Genauigkeit
  • Für Infrastruktur-, Cloud-Computing- und Grafikkarten-Anwendungen vorgesehene Bausteine im 5 mm x 6 mm großen PowerPAK®-Gehäuse bieten integrierte Strom- und Temperaturüberwachungsfunktionen

Malvern (USA)/Selb – 15. März 2021 – Vishay Intertechnology präsentiert neun smarte 70/80/100-Ampere-VRPower®-Leistungsstufen mit integrierten Strom- und Temperaturüberwachungsfunktionen im thermisch optimierten, 5 mm x 6 mm großen PowerPAK®-MLP56-39-Gehäuse. Die smarten Leistungsstufen der Familie SiC8xx von Vishay Siliconix wurden dahingehend optimiert, die Energiekosten von Datenzentren, sonstigen Hochleistungscomputer- sowie 5G-Mobilfunkinfrastruktur-Anwendungen zu reduzieren. Ihre Besonderheiten sind hohe Energieeffizienz und hervorragende Strommessgenauigkeit.

Die neuen Leistungsstufen enthalten Leistungs-MOSFETs und ein hochentwickeltes Treiber-IC. Die hohe Energieeffizienz dieser Bausteine ist der führenden TrenchFET®-Gen-IV-Technologie zu verdanken, die neue Leistungsmaßstäbe setzt und sowohl die Schalt- als auch Durchlassverluste signifikant reduziert. Unter diversen Betriebsbedingungen erzielen die Leistungsstufen der Familie SiC8xx Spitzenwirkungsgrade von mehr als 93%. Im Leichtlastbetrieb kann ein Dioden-Emulationsmodus aktiviert werden, was über den gesamten Lastbereich eine hohe Energieeffizienz erreicht.

Während herkömmliche Lösungen, die den Ausgangsstrom über den ohmschen Widerstand (DCR) der Induktivität messen, eine Messunsicherheit von etwa 7% aufweisen, kommen die Leistungsstufen der Familie SiC8xx, die den Strom über den Low-Side-MOSFET messen, auf eine deutlich geringere Messunsicherheit von unter 3%. Das führt in Anwendungen mit leistungshungrigen Prozessoren und SoCs – beispielsweise von Intel Corporation, Advanced Micro Devices, Inc. und Nvidia Corporation – zu höherer Leistungsfähigkeit und besserem Temperaturmanagement.
Die Bausteine wurden für Synchron-Abwärtsregler, Mehrphasen-VRDs für CUPs, GPUs und Speichersysteme sowie für DC/DC-VR-Module optimiert.

Die smarten Leistungsstufen der Familie SiC8xx decken einen weiten Eingangsspannungsbereich ab (4,5 V bis 21 V, siehe Tabelle) und erlauben Schaltfrequenzen bis 2 MHz. Sie verfügen über diverse Schutzfunktionen, darunter Kurzschluss- und Überstrom-Alarm für den High-Side-MOSFET, Übertemperaturschutz und Unterspannungsabschaltung (UVLO). Weil sie 3,3-V- und 5-V-PWM-Tri-State-Logik unterstützen, sind sie mit zahlreichen PWM-Controllern-kompatibel.

Lieferbar sind die smarten Leistungsstufen sind ab sofort in Muster- und Produktionsstückzahlen mit einer Lieferzeit von 16 Wochen.

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