- Die neuen OptiMOS™ 5 25 V und 30 V-MOSFETs im PQFN-2x2-Gehäuse setzen neue Maßstäbe bei Formfaktor, Durchlasswiderstand und Schaltleistung
München – 28. Februar 2022 – Mit dem Ziel, neue Technologiestandards bei diskreten Leistungs-MOSFETs zu setzen, hat die Infineon Technologies AG heute die neue Produktfamilie PQFN 2 x 2 mm² OptiMOS™ 5 25 V und 30 V vorgestellt. Durch die Kombination der Dünnwafer-Technologie mit Gehäuseinnovation ermöglichen die neuen Bauteile erhebliche Leistungsvorteile in einem extrem kleinen Formfaktor. OptiMOS 5 25 V und 30 V wurden für die synchrone Gleichrichtung in Stromversorgungen (SMPS) für Server, Brick-Wandler für Telekommunikation, tragbare Ladegeräte und kabelloses Laden optimiert. Die Leistungs-MOSFETs sind zudem für elektronische Drehzahlregler für kleine bürstenlose Motoren in Drohnen konzipiert, die kleinere Formfaktoren und leichtere Komponenten erfordern.
Die erstklassigen PQFN-2-x-2-Bauteile ermöglichen eine neue Leistungsdichte sowie energieeffiziente Dimension mit dem branchenweit niedrigsten Durchlasswiderstand. Die kleine Grundfläche von 2 x 2 mm² bietet Flexibilität bei der Leiterplattengestaltung. In Kombination mit einer hervorragenden elektrischen Leistung trägt die Lösung zur Verbesserung der Leistungsdichte und des Formfaktors in der Endanwendung bei. Darüber hinaus sorgen die reduzierte Systemtemperatur und die verbesserte Leistung für ein vereinfachtes Wärmemanagement. Auf diese Weise können die Endanwendungen insgesamt kleiner gestaltet werden, was eine erhebliche Platzersparnis, geringere Systemkosten und ein einfaches Produktdesign ermöglicht.
Verfügbarkeit
Die PQFN 2x2-Familie der OptiMOS™ 5 25-V- und 30-V-Leistungs-MOSFETs ist in den folgenden Ausführungen erhältlich:
PQFN 2x2 25 V: 2 x 2 mm ², R DS(on) 2,4 mΩ (ISK024NE2LM5)
PQFN 2x2 30 V: 2 x 2 mm ², R DS(on) 3,6 mΩ (ISK036N03LM5)
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