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Oszillatoren mit extrem niedrigem Phasenrauschen

IQD präsentiert phasenrauscharme Oszillatoren IQXO-408 und IQXO-455

Verbesserte TCoB-Robustheit und überlegene thermische Leistung: Infineon präsentiert die neuen OptiMOS™-Gehäuse der TOLx-Familie

Das TOLG-Gehäuse kombiniert die besten Eigenschaften von TOLL und D 2PAK 7-Pin-Gehäusen

Für die intelligente Lichtsteuerung: LED-Konstantspannungsnetzteile mit CASAMBI Bluetooth-Mesh-Modul neu bei Schukat

PWM-60-BLE und PWM-120-BLE von MEAN WELL

Flachdrahtspule in flacher Bauform mit hoher Stromtragfähigkeit

Würth Elektronik erweitert WE-HCFT-Hochstrominduktivitäten um Bauform 2504

Schukat bietet neue langlebige SMT-Aluminium-Elektrolyt-Kondensatoren von Panasonic an

Long-Life-Typen der V-FH-Serie

Continua-Spannungsregler von Maxim Integrated bietet kleinste Bauform und höchste Genauigkeit für Superkondensator-Backup

MAX38889 verfügt über einen um 9 Prozentpunkte höheren Wirkungsgrad bei einem Drittel der Größe von Wettbewerbslösungen für Anwendungen in den Bereichen Industrie, Asset-Tracking, Automotive und Healthcare

EiceDRIVER™ 1EDB Einkanal-Gate-Treiber-IC-Familie mit integrierter galvanischer Trennung im kleinen 150 mil 8-Pin-DSO-Gehäuse

Die neue 1EDB-Familie umfasst vier Bauteile (1EDB6275F, 1EDB7275F, 1EDB8275F und 1EDB9275F) und ist sowohl für High-Side- als auch für Low-Side-Anwendungen optimiert

DDR4-3200 VLP DIMM Speichermodule mit max. 18,8 mm Höhe für 5G Smart Poles und Edge KI

Die DDR4-3200 VLP DIMM Produktserie umfasst VLP RDIMM-, VLP ECC UDIMM- und VLP UDIMM-Module für 1U-Rack-Server, Blade-Server sowie Netcom- und Telekommunikationssysteme.

Schlanke LAN-Buchsen für industrielle 10-Gigabit-Anwendungen

Würth Elektronik mit neuen RJ45-10G-LAN-Übertragern

Bessere Sicht auf den Prozess bei gleichzeitig deutlich höherer Energieeffizienz

Sichtscheiben für Heißprozesse von Irlbacher

APEC 2021: Infineon präsentiert die industrieweit breiteste Palette an Power-Lösungen von Silizium bis Wide Bandgap

Die Produkte, Demos und Design-Hilfen, die in der virtuellen Ausstellung von Infineon gezeigt werden, veranschaulichen das Systemverständnis von Infineon im Bereich Power Management

Samsung setzt auf Infineon: Samsungs erstes MOSFET-basiertes Inverter-Design für Kühlgeräte verwendet den 600 V CoolMOS™ PFD7

Die 600-V-Superjunction-MOSFETs CoolMOS PFD7 sind mit einer erstklassigen Body-Diode ausgestattet, die einen verbesserten Soft-Recovery-Index und die branchenweit schnellste Reverse-Recovery-Zeit (t rr) ermöglicht

IAR Systems beschleunigt die Entwicklung von Embedded-Anwendungen auf Basis der i.MX RT1160 Crossover-MCUs von NXP

Die IAR Embedded Workbench für Arm unterstützt jetzt alle i.MX RT Crossover-MCUs von NXP Semiconductors, so dass Entwickler die hohe Leistung und die einfache Bedienung dieser Prozessoren voll ausschöpfen können

Leistungsbester 30-V-n-Kanal-MOSFET bietet hohe Leistungsdichte und Energieeffizienz bei isolierten und nicht isolierten Topologien

Der neue MOSFET im PowerPAK®-1212-8S-Gehäuse bietet hervorragende RDS(ON)-Werte ab 0,95 mOhm und eine verbesserte FOM-Spezifikation von 29,8 mOhm • nC

Heizen mit Präzision und Leistung: Rutronik nimmt Heizelement H 540 S von Heraeus Nexensos ins Sortiment

Das Heizelement H 540 von Heraeus Nexensos kombiniert verlässliche Langzeitstabilität mit einem breiten Anwendungstemperaturbereich

Drosseln mit Bestwerten

Würth Elektronik stellt neue stromkompensierte Drosseln vor

Metallschicht-Chipwiderstände für erhöhte Zuverlässigkeit unter besonderen Betriebsbedingungen bei RS Components lieferbar

Für den Automotive-Einsatz qualifizierte Komponenten von KOA setzen neue Maßstäbe in puncto Präzision, Stabilität und Langlebigkeit

Jetzt bei Schukat: SMD-Superkondensatoren von KEMET

Serie FC für Anwendungen mit hoher Energiespeicherung

Präzisions-Dünnschicht-Chip-Widerstand mit Wraparound-Anschlüssen, Temperaturkoeffizient von nur ±2 ppm/°C und Wertebereich von 100 Ohm bis 3,05 MOhm

Betriebstemperaturbereich –55 °C bis +155 °C, Nennbelastbarkeit bis 1 W, fünf Gehäusegrößen von 0402 bis 2010

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