• Dual N-Channel Power MOSFETs mit 40 und 60V von TSC neu bei Schukat
  • Im PDFN56 Dual-Gehäuse

Monheim, 8. Januar 2020 – Für den Einsatz in der BLDC-Motorsteuerung, in DC/DC-Wandlern und im Power-Management von Batterien sowie zur sekundären Synchrongleichrichtung erweitert Schukat sein Produktprogramm: Die neuen Dual N-Channel Power MOSFETs von Taiwan Semiconductor im PDFN56 Dual-Gehäuse bieten eine verbesserte Leistungsdichte. Verfügbar sind die Typen TSM110NB04DCR, TSM150NB04DCR, TSM250NB06DCR und TSM300NB06DCR mit 40 und 60V für Ströme von 25 bis 38A. Zur Reduzierung von Leitungsverlusten weisen die MOSFETs einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand zwischen 15 und 30mΩ auf. Ihre maximale Sperrschichttemperatur beträgt 150°C. Sie ermöglichen aufgrund der niedrigen Gate-Ladung schnelle Schaltfrequenzen, entsprechen der RoHS-Richtlinie und sind halogenfrei. Die Dual N-Channel Power MOSFETs von TSC sind ab sofort ab Lager Schukat erhältlich.

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