• Integrierte 40-V-MOSFET-Halbbrücke mit klassenbesten RDS(ON) - und FOM-Werten erhöht die Leistungsdichte und Energieeffizienz
  • Platzsparendes Bauteil mit maximalem RDS(ON)-Wert ab 8,05 mOhm und nur 6,5 nC Qg im kompakten PowerPAIR®-3x3S-Gehäuse

Malvern (USA)/Selb – 14. Oktober 2020 – Vishay Intertechnology präsentiert eine neue, für Anwendungen in Haushaltsgeräten, Industrieanlagen, medizinischen Geräten und Telekomsystemen vorgesehene 40-V-n-Kanal-MOSFET-Halbbrücke, die sich durch eine erhöhte Leistungsdichte und Energieeffizienz auszeichnet. Durch die Integration der High- und Low-Side-MOSFETs in einem nur 3,3 mm x 3,3 mm großen PowerPAIR®-Gehäuse bietet die SiZ240DT von Vishay Siliconix beste On-Widerstands- und FOM-Werte dieser Klasse. „FOM" bzw. „Figure of Merit" (Produkt aus On-Widerstand und Gate-Ladung) ist eine wichtige Spezifikation für MOSFETs, die in Energiewandler-Anwendungen eingesetzt werden.

Beide TrenchFET-MOSFETs im SiZ240DT sind intern zu einer Halbbrückenschaltung verbunden. Der Kanal-1-MOSFET im SiZ240DT, der typischerweise als Steuerschalter in einem Synchron-Abwärtsregler dient, hat einen maximalen On-Widerstand von 8,05 mOhm bei 10 V bzw. 12,25 mW bei 4,5 V Gate-Spannung. Der Kanal-2-MOSFET, der typischerweise als Synchronschalter dient, hat einen On-Widerstand von 8,41 mOhm bei 10V bzw. 13,30 mOhm bei 4,5 V Gate-Spannung. Diese Werte sind bis zu 16% geringer als bei den Wettbewerbsprodukten. In Verbindung mit den niedrigen Gate-Ladungen von nur 6,9 nC (Kanal 1) bzw. 6,5 nC (Kanal 2) ergibt sich ein FOM-Wert, der um 14% niedriger ist als beim vergleichbaren Produkt, das erhöht die Energieeffizienz in Hochfrequenz-Schaltanwendungen.

Die neuen Dual-MOSFETs sind 65% kleiner als vergleichbare Typen im 6 mm x 5 mm großen Gehäuse und zählen damit zu den kompaktesten integrierten Dual-MOSFETs am Markt. Sie bieten Entwicklern eine platzsparende Lösung für Anwendungen wie Steuerung von Staubsaugermotoren, Drohnen, Elektrowerkzeugen, Heim-/Büroautomatisierung und nicht-implantierbare medizinische Geräte; außerdem Halbbrücken für Synchron-DC/DC-Abwärtsregler, drahtlose Ladegeräte und Schaltstromversorgungen in Telekomsystemen und Servern.

Weil der integrierte Dual-MOSFET keine internen Drahtverbindungen enthält, wird die Parasitärinduktivität minimiert und ermöglicht dadurch hohe Schaltfrequenzen; dies wiederum erlaubt die Verwendung kleiner Induktivitäten und Transformatoren und ermöglicht somit kleinere Endprodukte. Das optimierte Qgd/Qgs-Verhältnis reduziert das Schaltrauschen und verbessert ganz allgemein das Schaltverhalten. Der SiZ240DT wird 100% Rg- und UIS-getestet und ist RoHS-konform und halogenfrei.

Lieferbar ist der neue Dual-MOSFET ab sofort in Muster- und Produktionsstückzahlen; die Lieferzeit für große Bestellmengen beträgt zwölf Wochen.

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