- Schukat bietet neue N-Kanal SiC-Leistungs-MOSFETs von ROHM Semiconductor an
- SCT-Serie
Monheim, 23. August 2018 – Schukat nimmt die N-Kanal SiC-Leistungs-MOSFETs der SCT-Serie von ROHM Semiconductor neu ins Programm auf. Sie punkten mit einem niedrigen Einschaltwiderstand sowie schneller Erholzeit und ermöglichen eine hohe Schaltgeschwindigkeit. Zudem erlauben sie unkompliziert eine Parallelschaltung und lassen sich einfach betreiben. Die Leistungs-MOSFETs besitzen eine bleifreie Kontaktbeschichtung und sind RoHS-konform. Zu den möglichen Einsatzbereichen zählen Solarwechselrichter, DC-DC-Wandler, Schaltnetzteile, Induktionsheizgeräte und Motorantriebe.
Die 650V- und 1200V-Typen der SCT-Serie akzeptieren Nennströme zwischen 14 und 40A sowie eine Betriebstemperatur von -55 bis 175°C. Alle SiC-MOSFETs von ROHM sind in den gängigen Gehäusen TO220 und TO247 bei Schukat erhältlich und ab Lager verfügbar.
© Schukat electronic Vertriebs GmbH
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