- Power-MOSFET der 650V-E-Serie bietet branchenweit niedrigste RDS(ON)Qg und RDS(ON)Co(er)
- Bauelement der vierten Generation ermöglicht hohe Leistungsdichte bei verringerten Leitungs- und Schaltverlusten für verbesserten Wirkungsgrad
Malvern (USA)/Selb – 29. August 2023 – Einen neuen Leistungs-MOSFET der vierten Generation der 650-V-E-Serie präsentiert Vishay Intertechnology. Der Baustein bietet eine hohe Effizienz und Leistungsdichte für Telekommunikations-, Industrie- und Computeranwendungen. Der n-Kanal SiHP054N65E von Vishay Siliconix senkt im Vergleich zur vorherigen Generation den On-Widerstand um 48,2 % und weist dabei ein um 59 % geringeres Produkt aus On-Widerstand mal Gate-Ladung auf – eine wichtige Gütezahl (FOM, englisch: „Figure Of Merit“) für 650 V-MOSFETs, die in Stromwandlungsanwendungen eingesetzt werden.
Vishay bietet eine breite Palette von MOSFET-Technologien an, die sich für alle Stufen der Spannungswandlung eignen, von den Hochspannungseingängen bis zu den Niederspannungsausgängen, die für die Versorgung der neuesten Hightech-Geräte erforderlich sind. Mit dem SiHP054N65E und anderen Bauelementen der vierten Generation der 600-V-EF-Serie reagiert das Unternehmen auf den Bedarf an Verbesserungen des Wirkungsgrads und der Leistungsdichte in zwei der ersten Stufen der Stromversorgungsarchitektur – der brückenlosen Totem-Pole-Leistungsfaktorkorrektur (PFC) und den nachgeschalteten DC/DC-Wandlerblöcken. Zu den typischen Anwendungen gehören Edge Computing und Datenspeicherung, USV, Hochdruckentladungslampen (HID) und Leuchtstofflampen, Solarwechselrichter, Schweißgeräte, Induktionsheizungen, Motorantriebe und Batterieladegeräte.
Der SiHP054N65E basiert auf Vishays neuester energieeffizienter Superjunction-Technologie der E-Serie. Sein geringer typischer On-Widerstand von nur 0,051 Ohm bei 10 V führt zu einer höheren Nennleistung für Anwendungen >2 kW und ermöglicht die Erfüllung des Open Compute Project's Open Rack V3 (ORV3)-Standards. Darüber hinaus weist der MOSFET eine extrem niedrige Gate-Ladung von bis hinunter zu 72 nC auf. Die daraus resultierende Figure of Merit von 3,67 Ohm*nC ist um 1,1 % niedriger als das des nächstgelegenen konkurrierenden MOSFETs derselben Klasse – das schlägt sich in niedrigeren Leitungs- und Schaltverlusten nieder und spart somit Energie und erhöht die Effizienz. Dadurch kann der Baustein die spezifischen Anforderungen für Server-Netzteile mit Wirkungsgraden der Titanium-Klasse erfüllen und einen Spitzenwirkungsgrad von 96 % in Telekom-Netzteilen erreichen.
Zur Verbesserung der Schaltleistung in hartgeschalteten Topologien wie PFC-, Halbbrücken- und Vorwärtsschaltdesigns mit zwei Schaltern bietet der heute vorgestellte MOSFET niedrige typische effektive Ausgangskapazitäten Co(er) und Co(tr) von 115 pF bzw. 772 pF. Die daraus resultierende Figure of Merit aus Widerstand mal Co(er) ist mit 5,87 Ohm*pF branchenweit äußerst niedrig. Der SiHP054N65E wird im TO-220AB-Gehäuse angeboten und bietet eine erhöhte dv/dt-Robustheit. Er ist RoHS-konform, halogenfrei und Vishay Green und wurde entwickelt, um Überspannungstransienten im Avalanche-Modus mit garantierten Grenzwerten gemäß 100 % UIS-Tests standzuhalten.
Muster und Produktionsstückzahlen des SiHP054N65E sind ab sofort erhältlich. Informationen zu Lieferzeiten über das örtliche Vertriebsbüro.
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