• SiC-Leistungsmodule von ROHM Semiconductor neu bei Schukat
  • BSM-Serie

Monheim, 31. Oktober 2018 – Schukat nimmt die SiC-Leistungsmodule der BSM-Serie von ROHM Semiconductor neu ins Programm auf. Sie zeichnen sich durch geringe Anstiegs- und Schaltverluste sowie eine reduzierte Temperaturabhängigkeit aus und ermöglichen ein High-Speed-Schalten. Damit eignen sie sich ideal für Anwendungen wie Motorantriebe, AC- und DC-Wandler, Photovoltaik- und Windenergieerzeugung sowie Induktionsheizgeräte. Die 1200V-SiC-Leistungsmodule der BSM-Serie haben je nach Typ Nennströme zwischen 80 bis 300A und sind als Halbbrückenmodul oder Chopper-Modul, bestehend aus SiC-DMOSFET und SiC-Schottky-Diode, bei Schukat in den Gehäusen C-Pack, E-Pack und G-Pack erhältlich.

Vorheriger Beitrag Nächster Beitrag