• Infineon erweitert 600 V CoolMOS™ S7-Familie um MOSFETs für statische Schaltanwendungen

München – 8. April 2021 – In Anwendungen, bei denen MOSFETs mit niedriger Frequenz geschaltet werden, müssen leistungsfähige Designs einige Anforderungen erfüllen: Sie sollen Leistungsverluste minimieren, ein optimales thermisches Verhalten sowie kompaktere und leichtere Systeme ermöglichen – und das alles kostengünstig bei höchster Qualität. Um diese Anforderungen zu erfüllen, erweitert die Infineon Technologies AG die 600 V CoolMOS™ S7-Familie um zwei neue, für statische Schaltanwendungen optimierte Bauteile: den CoolMOS S7 10 mΩ für den industriellen und den CoolMOS S7A für den automobilen Bereich.

Der CoolMOS S7 10 mΩ hat einen für 600-V-Superjunction-MOSFETs einzigartig niedrigen Durchlasswiderstand (R DS(on)). Er ist damit ideal für Anwendungen, bei denen es auf minimale Leitungsverluste ankommt, wie beispielsweise bei handelsüblichen Solid-State-Relais (SSR). Der CoolMOS S7A richtet sich dagegen an die Anforderungen bei der Systemleistung von Solid-State-Schutzschaltern (SSCB) und Diodenparallelschaltungen/-ersatz für Hochleistungs-/Leistungsdesigns in Automotive-Anwendungen. Hierzu gehören zum Beispiel Hochspannungs (HV)-eFUSE, Batterietrennschalter HV eDisconnect sowie Onboard-Ladegeräte.

Bei der Entwicklung der Produktfamilie wurde die bekannte Technologieplattform CoolMOS 7 mit Blick auf die Anforderungen an ein Bauteil für statisches Schalten und Hochstromanwendungen optimiert. Als Ergebnis erreichen die neuen MOSFETs das beste Preis-Leistungs-Verhältnis bei gleichzeitig höchsten Qualitätsstandards. Dabei liegt der Fokus insbesondere auf Leitungsverhalten, Energieeffizienz, Leistungsdichte und verbessertem Wärmewiderstand.

Die CoolMOS S7 10 mΩ- und CoolMOS S7A-Chips verfügen über den niedrigsten R DS(on) auf dem Markt und die besten R DS(on) x A x Kosten. Darüber hinaus wurden sie in ein innovatives, oberseitengekühltes (top-side cooled, TSC) QDPAK-SMD-Gehäuse eingepasst. Dieses bietet damit ein hervorragendes thermisches Verhalten, wodurch es als kleinere Alternative zu THD-Bauteilen wie TO-247 geeignet ist.

Darüber hinaus kann die Bauteilhöhe mit dem Wechsel von THD zu SMD mit QDPAK um 94 Prozent reduziert werden, was wiederum Lösungen mit höherer Leistungsdichte ermöglicht. Mit den geringen Leitungsverlusten des CoolMOS S7
10 mΩ und des CoolMOS S7A können Entwickler die Größe von Kühlkörpern um bis zu 80 Prozent verkleinern und gleichzeitig die Strom- und Spannungswerte erweitern, ohne den Formfaktor zu verändern.

Verfügbarkeit

CoolMOS S7 10 mΩ und CoolMOS S7A können ab sofort in einem TSC QDPAK-Gehäuse (HDSOP-22-1) bestellt werden. Weitere Informationen sind erhältlich unter www.infineon.com/s7.

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