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  • Infineon stellt mit OptiMOS™ 7 die erste 15 V Trench Power MOSFET-Technologie im PQFN-Gehäuse am Markt vor

München, Deutschland – 28. November 2023 – Stetig steigender Energiebedarf in Rechenzentren und Computeranwendungen erfordert verbesserte Leistungseffizienz und kompaktes Design der Spannungsversorgung. Mit der Einführung von OptiMOS™ 7, der ersten 15 V Trench Power MOSFET-Technologie der Branche, begegnet Infineon Technologies AG neuen Trends auf Systemebene. Die OptiMOS 7 15 V-Produktfamilie eignet sich bestens in DC-DC Schaltnetzteilen im Bereich künstlicher Intelligenz, in Servern, Computern und Rechenzentren.

Das Produktportfolio umfasst neben den neuesten PQFN 3,3 x 3,3 mm² Source-Down, mit Bottom- und Dual-Side-Kühlvarianten in Standard- und Center-Gate- Anschlussfläche, auch eine robuste PQFN 2 x 2 mm²- Gehäusevariante mit optimiertem Clip. Die OptiMOS 7 15 V-Technologie ist speziell für DC-DC Schaltnetzteile mit niedrigen Ausgangsspannungen und hoher Schaltfrequenz optimiert, entsprechend den sich abzeichnenden Veränderungen in der Energie-verteilung in Server- und Rechenzentren.

Im Vergleich zu OptiMOS 5 25 V erreicht die neue OptiMOS 7 15 V-Technologie durch verringerte Durchbruchspannung eine Verbesserung von R DS(on) bzw. FOMQ g um rund 30 Prozent, und FOMQ OSS um rund 50 Prozent . Die PQFN 3,3 x 3,3 mm² Source-Down-Gehäusevarianten ermöglichen ein vielseitiges und effektives Leiterplatten-Design. Eine Variante im PQFN 2 x 2 mm²-Gehäuse bietet eine Impulsstromfähigkeit von mehr als 500 A und einen typischen R thJC von 1,6 K/W. Verringerte Leitungs- und Schaltverlusten gepaart mit fortschrittlicher Gehäusetechnologie, vereinfachen das thermische Management, wodurch die erreichbare Leistungsdichte und Gesamteffizienz neue Maßstäbe setzen wird.

Verfügbarkeit

Das OptiMOS 7 15 V-Produktportfolio umfasst mehrere Gehäusegrößen und -formen (PQFN 3,3 x 3,3 mm² Source-Down und PQFN 2 x 2 mm²) und kann ab sofort bestellt werden. Weitere Informationen sind erhältlich unter

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