Neuer AEC-Q101-qualifizierter –100-V-p-Kanal-MOSFET bietet niedrigsten On-Widerstand in seiner Klasse

• Neuer AEC-Q101-qualifizierter –100-V-p-Kanal-MOSFET bietet niedrigsten On-Widerstand in seiner Klasse

• Branchenweit erster MOSFET im nur 5 mm x 6 mm großen PowerPAK®-SO-8L-Gehäuse mit Gullwing-Anschlüssen bietet On-Widerstände ab 30 mOhm

Malvern (USA)/Selb – 11. Januar 2021 – Vishay Intertechnology präsentiert einen neuen, AEC-Q101-qualifizierten –100 V-p-Kanal-TrenchFET®-MOSFET, der mit dem Ziel entwickelt wurde, die Leistungsdichte und Energieeffizienz in Automobilanwendungen zu erhöhen. Der neue SQJ211ELP von Vishay Siliconix ist nicht nur das einzige Bauteil dieser Art im kompakten, nur 5 mm x 6 mm großen PowerPAK®-SO-8L-Gehäuse mit Gullwing-Anschlüssen, sondern bietet darüber hinaus in seiner Klasse den niedrigsten On-Widerstand von nur 30 mOhm bei 10 V Gate-Spannung.

Im Vergleich zu den nächstbesten Bauteilen im DPAK- oder D2PAK-Gehäuse bietet der neue, AEC-qualifizierte MOSFET um 26% bzw. 46% kleinere On-Widerstände und eine um 50% bzw. 76% kleinere Grundfläche. Der sehr kleine On-Widerstand des SQJ211ELP führt zu geringeren Durchlassverlusten, und die außergewöhnlich geringe Gate-Ladung ab 45 nC bei 10 V verringert die Verluste bei der Gate-Ansteuerung.

Der für Betriebstemperaturen bis +175°C ausgelegte MOSFET leistet die in Automobilanwendungen wie Verpolungsschutz, Batteriemanagement, High-Side-Lastschalter und LED-Beleuchtung geforderte hohe Robustheit und Zuverlässigkeit. Seine Gullwing-Anschlüsse ermöglichen eine bessere automatisierte Sichtkontrolle (AOI) und minimieren mechanische Spannungen bei Temperaturänderungen, das erhöht die Zuverlässigkeit auf der Leiterplattenebene.

Die hohe Sperrspannung von –100 V steht für eine große Sicherheitsreserve beim Betrieb an üblichen Bordnetz-Spannungen von 12 V, 24 V und 48 V. Als p-Kanal-MOSFET vereinfacht der SQJ211ELP die Gate-Treiber-Schaltung, da die bei n-Kanal-Typen erforderliche Ladungspumpe entfällt. Der bleifreie, halogenfreie und RoHS-konforme MOSFET wird zu 100% Rg- und UIS-getestet.

Lieferbar ist der SQJ211ELP ab sofort in Muster- und Produktionsstückzahlen mit einer Lieferzeit von 14 Wochen.