–30-V-p-Kanal-MOSFET im PowerPAK®-1212-8S-Gehäuse stellt neuen Rekord mit extrem kleinen RDS(ON) auf und erhöht die Leistungsdichte und Energieeffizienz mobiler Elektronikprodukte

• –30-V-p-Kanal-MOSFET im PowerPAK®-1212-8S-Gehäuse stellt neuen Rekord mit extrem kleinen RDS(ON) auf und erhöht die Leistungsdichte und Energieeffizienz mobiler Elektronikprodukte
• Branchenrekorde: 3,5 mOhm RDS(ON) und 172 mOhm • nC FOM bei 10,89 mm2 Gehäusegrundfläche

Malvern (USA)/Selb – 10. Februar 2020 – Einen neuen –30-V-p-Kanal-TrenchFET®-Gen-IV-Leistungs-MOSFET im 3,3 mm x 3,3 mm kleinen, thermisch optimierten PowerPAK®-1212-8S-Gehäuse präsentiert Vishay Intertechnology. Mit einem On-Widerstand von nur 3,5 mW bei 10 V Gate-Spannung stellt das Bauteil einen neuen Branchenrekord auf, und bietet zudem in seiner Klasse den kleinsten FOM-Wert, nämlich 172 mW • nC. FOM steht für "figure of merit" und entspricht dem Produkt aus dem On-Widerstand und der Gate-Ladung. Die FOM-Spezifikation ist eine wichtige Kennzahl für MOSFETs, die in Schaltanwendungen eingesetzt werden. Der auf höhere Leistungsdichte hin entwickelte SiSS05DN von Vishay Siliconix ist um 65% kleiner als andere MOSFETs mit gleichem On-Widerstand im 6 mm x 5 mm großen Gehäuse.

Der On-Widerstand des neuen MOSFETs ist um 26% geringer als bei der Vorgängergeneration, und um 35% geringer als beim nächstbesten Wettbewerbsprodukt; der FOM-Wert ist um 15% kleiner als beim nächstbesten Wettbewerbsprodukt. Diese industrieweit besten Werte führen zu reduzierten Durchlass- und Schaltverlusten. Durch die damit einhergehenden Energieeinsparungen verlängern sich die Batterielaufzeiten mobiler Geräte. Zugleich werden dadurch Spannungsabfälle auf dem Strompfad minimiert und Fehlauslösungen durch Unterspannungsabschaltung verringert. Dank ihrer kompakten Bauweise lassen sich die Bauteile leichter in platzbeschränkte Designs integrieren.

Abmessungen und Anschlussbild des SiSS05DN entsprechen dem Industriestandard. Dadurch eignet sich das Bauteil als direkter, leistungsfähigerer Ersatz für vorhandene MOSFETs in Anwendungen mit 5 V bis 20 V Betriebsspannung. Dieser MOSFET eignet sich ideal für Anwendungen wie Adapter und Lastschalter, Verpolungsschutz, Motorsteuerungen in batteriebetriebenen Geräten, Akkuladegeräte, Consumerelektronik, Computer, Telekomausrüstung und vieles mehr.

Das Bauteil wird 100% RG- und UIS-getestet und ist RoHS-konform und halogenfrei.

Lieferbar ist der SiSS05DN ab sofort in Muster- und Produktionsstückzahlen; die Lieferzeit ist von der aktuellen Marktsituation abhängig und beträgt derzeit etwa 12 Wochen.